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Estudo do comportamento da resistência série e desenvolvimento de novos métodos de caracterização elétrica em dispositivos SOI MOSFET

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-

2001

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FT-1568 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Estudo do comportamento da resistência série e desenvolvimento de novos métodos de caracterização elétrica em dispositivos SOI MOSFET
  • Autor: Aparecido Sirley Nicolett
  • João Antonio Martino 1959-
  • Assuntos: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: Neste trabalho, é estudado o comportamento da resistência série em transistores SOI NMOSFETs de camada fina, em função das polarizações aplicadas ao substrato e à porta, aliados aos efeitos de baixas temperaturas. Os resultados obtidos desse estudo possibilitaram o desenvolvimento de três novos métodos de caracterização elétrica, os quais foram validados com o auxílio de um simulador numérico bidimensional e aplicados experimentalmente em dispositivos SOI NMOSFETs. Estes dispositivos foram implementados com tecnologia SOI CMOS de 0,5 ´MICROMETROS´. O primeiro método proposto permite a extração da concentração efetiva de dopantes das regiões de LDD (NLDD), utilizando a influência da polarização do substrato dentro destas regiões. Um erro máximo de 11 % foi observado nas simulações numéricas bidimensionais, quando os resultados obtidos pelo método foram comparados com os simulados. Uma análise de sensibilidade do método, em relação aos parâmetros de processos e elétricos, foi realizada, e os resultados obtidos mostraram sua aplicabilidade. O segundo método proposto permite a extração das espessuras da camada de silício (tSi) e do óxido de porta (toxf). Neste caso, tanto os efeitos provocados pelas tensões aplicadas ao substrato como na porta foram utilizados. Um erro máximo de 3% foi observado para tSi e de 15% para toxf nas simulações numéricas bidimensionais, quando os resultados obtidos pelo método foram comparados com os simulados. A análise de sensibilidade
    do método foi realizada, em relação aos parâmetros de processos e elétricos, e os resultados obtidos mostraram sua aplicabilidade. O terceiro método permite a extração das densidades de cargas efetivas nos óxidos de porta (Qox1) e enterrado (Qox2). Um erro máximo de 10 % foi observado para Qox1 e de 15% para Qox2, quando os resultados obtidos pelo método foram comparados com os simulados. ) A análise de sensibilidade do método foi realizada, em relação aos parâmetros de processos e elétricos, e os resultados obtidos mostraram sua aplicabilidade. O terceiro método permite a extração das densidades de cargas efetivas nos óxidos de porta (Qox1) e enterrado (Qox2). Um erro máximo de 10% foi observado para Qox1 e de 15% para Qox2, quando os resultados obtidos pelo método foram comparados com os simulados. Uma análise de sensibilidade do método foi realizada, obtendo-se resultados que validaram o método proposto. Uma característica comum a todos os métodos propostos neste trabalho é a sua simplicidade de implementação, para a obtenção de parâmetros importantes dos dispositivos SOI MOSFETs
  • Data de criação/publicação: 2001
  • Formato: 121 p.
  • Idioma: Português
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