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Efeitos de muitos corpos em superredes semicondutoras e semicondutores polares

Costa, Wilson Barbosa Da

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1992-11-24

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Efeitos de muitos corpos em superredes semicondutoras e semicondutores polares
  • Autor: Costa, Wilson Barbosa Da
  • Orientador: Studart Filho, Nelson
  • Assuntos: Não Disponível; Not Available
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: Neste trabalho a função dielétrica da teoria de muitos corpos é desenvolvida para estudar as correlações eletrônicas no modelo de Visscher-Falicov. O modelo descreve um gás de elétrons encamado (layered electron gás-LEG) que consiste essencialmente de um arranjo infinito de um gás de elétrons de duas dimensões. Tem sido usado como um modelo para descrever propriedades físicas de compostos de grafite intercalado com metal e de super-redes semicondutoras. A aproximação do Singwi, Tosi, Land e Sjolander (STLS), que descreve as correções devido aos efeitos de troca e correlação de curto alcance através da correção de campo local dependente do fator de estrutura estático, é generalizada para o LEG. A solução completa das equações auto-consistentes STLS fornece informação a respeito das correções intraplano e interplanos e a função correlação dos pares, a energia de correlação e a relação do plasmon são calculados para vários valores e rs e vários espaçamentos entre as camadas da super-rede semicondutora de GaAs/GaxAl1-xAs. Para comparação a aproximação de fases aleatórias e a aproximação de Hubbard são também consideradas. Os resultados mostram comportamento qualitativamente diferente do gás de elétrons em duas e três dimensões. Apresentamos um estudo teórico do acoplamento elétron-fônon em um gás de elétrons em três dimensões polar. A energia do estado fundamental do gás de polarons é determinada dentro da aproximação de blindagem dinâmica e várias aproximações para a função dielétrica. O efeito da densidade de portadores sobre as correções devido à blindagem na energia polarônica e massa efetiva é investigado pelo método perturbativo que consiste em calcular o diagrama de primeira ordem da auto-energia com uma interação efetiva elétron-fonon blindada pela função dielétrica estática do gás de elétrons. Mostra-se que as energias polarônicas apresentam valores mais baixos no método dinâmico comparado com o estático para todas as densidades eletrônicas. As massas efetivas derivadas da expansão e energia nas várias teorias de perturbação mostram resultados diferentes, que são propriamente interpretados
  • DOI: 10.11606/T.54.1992.tde-07042015-154545
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos
  • Data de criação/publicação: 1992-11-24
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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