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Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS'

Artemis Marti Ceschin Máximo Siu Li

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (Te981 )(Acessar)

Título:
Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS'
Autor: Artemis Marti Ceschin
Máximo Siu Li
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA
Notas: Tese (Doutorado)
Descrição: Utilizando a tecnica de epitaxia por feixe molecular (mbe), crescemos heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' sobre substratos de 'GA''AS' (100). A composicao de 'IN', a espessura para a transicao 2d-3d e a espessura critica ('H IND.C') foram determinadas atraves da analise in situ pelo rheed. Os valores da 'H IND.C' e da espessura para a transicao 2d-3d foram observadas ser funcoes da composicao do 'IN' e da temperatura do substrato. Um estudo do efeito da desorientacao do substrato de 'GA''AS' (100) de alguns graus sobre as qualidades opticas (pl) de pocos quanticos simples e multiplos de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' tambem foi realizado. Microscopia eletronica por transmissao (tem) foi utilizada para a verificacao da qualidade das interfaces dos pocos quanticos de 'IN IND.X''GA IND.1-X'/'GA''AS'. Algumas estruturas de dupla barreira ('AL''GA''AS'/'GA''AS'/'IN''AS'/'GA''AS''AL' 'GA''AS') foram crescidas e caracterizadas opticamente (pl)
Data de criação/publicação: 1992
Formato: 109p.
Idioma: Português

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