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Implantacao da tecnica de crescimento de cristais por fusao a laser e a preparacao de fibras monocristalinas oxidas

Marcello Rubens Barsi Andreeta Antônio Carlos Hernandes

1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (Te994 )(Acessar)

  • Título:
    Implantacao da tecnica de crescimento de cristais por fusao a laser e a preparacao de fibras monocristalinas oxidas
  • Autor: Marcello Rubens Barsi Andreeta
  • Antônio Carlos Hernandes
  • Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Efetuamos aqui a implantacao da tecnica de crescimento de cristais por fusao a laser, e o crescimento de fibras monocristalinas de 'LI''NB''O IND.3' e 'BI IND.12''TI''O IND.20'. Esta tecnica apresenta inumeras vantagens em relacao as tecnicas convencionais, como altas taxas de puxamento, a nao utilizacao de cadinhos, e possibilidade de crescimento de materiais como ponto de fusao de '875 GRAUS'c a '2600 GRAUS'c. Apresentamos um estudo sistematico do gradiente de temperatura axial na interface solido-liquido durante o processo de crescimento de fibras monocristalinas de 'LI''NB''O IND.3'. Considerando os fluxos de calor envolvidos no processo de crescimento, descrevemos o comportamento observado do elevado gradiente de temperatura axial em funcao do raio da fibra, bem como a determinacao de um raio critico acima do qual aparecem trincas macroscopicas. Para as fibras de 'LI''NB''O IND.3' o valor encontrado para o raio critico foi de 460'MU'm. Mostramos tambem que o formato da interface solido-liquido durante o crescimento e ligeiramente convexo. Fibras de 'BI IND.12''TI''O IND.20' foram, pela primeira vez, crescidas a partir de materias fontes (nutrientes) estequiometricos, mesmo tendo este material fusao incongruente. Isto foi possivel devido aos elevados gradientes de temperatura na interface solido/liquido e a auto-geracao de excesso de oxido de bismuto na fase liquida
  • Data de criação/publicação: 1996
  • Formato: 95p.
  • Idioma: Português
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