skip to main content
Idioma:

Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada

Curbelo, Victor Manuel Orlando

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2023-07-28

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada
  • Autor: Curbelo, Victor Manuel Orlando
  • Orientador: Quivy, Alain Andre
  • Assuntos: Pontos Quânticos; Epitaxia Por Migração Aumentada; Epitaxia Por Feixe Molecular; Células Solares; Quantum Dots; Migration Enhanced Epitaxy; Molecular Beam Epitaxy; Solar Cells
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Neste trabalho, uma técnica alternativa de crescimento epitaxial, chamada de epitaxia por migração aumentada (Migration-Enhanced Epitaxy, MEE), foi implementada para crescer GaAs. A partir de técnicas de caracterização óptica (fotoluminescência) e morfológica (microscopia de força atômica), otimizamos o crescimento de GaAs por MEE para utilizá-lo na cobertura de pontos quânticos de InAs. Ao longo deste projeto, observamos diversas propriedades do crescimento de GaAs por MEE, como o surgimento de gotas de Ga, devido à estequiometria das reconstruções de superfície do GaAs, assim como a formação posterior de defeitos estruturais nas camadas epitaxiais. Detectamos também um aumento na segregação de In ao utilizarmos a técnica MEE em vez da técnica de epitaxia por feixe molecular (Molecular Beam Epitaxy, MBE) para cobrir os pontos quânticos de InAs. Após a otimização dos principais parâmetros, usamos as melhores condições de crescimento em células solares de banda intermediária possuindo pontos quânticos de InAs na região ativa. Observamos claramente um aumento de eficiência nos dispositivos crescidos por MEE em relação àqueles crescidos por MBE, principalmente em baixas temperaturas.
  • DOI: 10.11606/D.43.2023.tde-07082023-102637
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
  • Data de criação/publicação: 2023-07-28
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
Links
Voltar para lista de resultados

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.