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Idioma:

Oxidação térmica do silicio um estudo do método de oxidação com vapor de água

Adnei Melges de Andrade 1943- Carlos Ignacio Zamitti Mammana

1972

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FD-893 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Oxidação térmica do silicio um estudo do método de oxidação com vapor de água
  • Autor: Adnei Melges de Andrade 1943-
  • Carlos Ignacio Zamitti Mammana
  • Assuntos: OXIDAÇÃO; SILÍCIO
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: A obtenção de camadas de óxido sobre substratos de silício é uma necessidade básica da tecnologia planar de construção de dispositivos semicondutores. O dióxido de silício, na técnica planar, assume várias funções: ou como ferramenta na obtenção e proteção dos dispositivos, ou como parte integrante ativa dos mesmos, como é o caso dos dispositivos MOS. O objetivo deste trabalho é adquirir o conhecimento e a compreensão dos processos que envolvem o crescimento de camadas de óxido em superfícies de silício, de modo a se ter condições de utilizá-lo na técnica planar. A primeira parte do trabalho mostra os vários métodos de obtenção de camadas de óxido em substratos, descrevendo-os brevemente. Essa descrição inclui comentários sobre as características dos óxidos, decorrentes do processo usado na sua obtenção. Em seguida é feita uma descrição fenomenológica do método de crescimento térmico de óxidos com vapor de água, método este que constitui o enfoque principal do trabalho. São apresentados os resultados de um estudo sobre este método de obtenção de dióxido de silício, através das curvas de espessura da camada obtida, versus tempo de oxidação, tendo a temperatura como parâmetro. Apresenta-se, também, os resultados da caracterização do dióxido de silício através de suas propriedades físicas e químicas.
  • Data de criação/publicação: 1972
  • Formato: 75 p.
  • Idioma: Português
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