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Idioma:

Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers

Oscar Hipólito A. F Silva

Sao Paulo v.24, n.1 , p.399-401, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002853 )(Acessar)

  • Título:
    Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
  • Autor: Oscar Hipólito
  • A. F Silva
  • Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA
  • É parte de: Sao Paulo v.24, n.1 , p.399-401, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics
  • Editor: São Paulo
  • Data de criação/publicação: 1994
  • Formato: p.399-401.
  • Idioma: Inglês
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