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Hydrolyzation oxidation of Al x Ga1− x As-AlAs-GaAs quantum well heterostructures and superlattices

Dallesasse, J. M. ; Holonyak, N. ; Sugg, A. R. ; Richard, T. A. ; El-Zein, N.

Applied physics letters, 1990-12, Vol.57 (26), p.2844-2846 [Periódico revisado por pares]

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Título:
Hydrolyzation oxidation of Al x Ga1− x As-AlAs-GaAs quantum well heterostructures and superlattices
Autor: Dallesasse, J. M. ; Holonyak, N. ; Sugg, A. R. ; Richard, T. A. ; El-Zein, N.
É parte de: Applied physics letters, 1990-12, Vol.57 (26), p.2844-2846
Descrição: Data are presented on the conversion (selective conversion) of high-composition (AlAs)x(GaAs)1−x layers, e.g., in AlxGa1−xAs-AlAs-GaAs quantum well heterostructures and superlattices (SLs), into dense transparent native oxide by reaction with H2O vapor (N2 carrier gas) at elevated temperatures (400 °C). Hydrolyzation oxidation of a fine-scale AlAs(LB)-GaAs(Lz) SL (LB +Lz≲100 Å), or random alloy AlxGa1−xAs (x≳0.7), is observed to proceed more slowly and uniformly than a coarse-scale ‘‘alloy’’ such as an AlAs-GaAs superlattice with LB + Lz≳200 Å.
Idioma: Inglês

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