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Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures
Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures
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Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures

KAMINSKA, M ; LILIENTAL-WEBER, Z ; WEBER, E. R ; GEORGE, T ; KORTRIGHT, J. B ; SMITH, F. W ; TSAUR, B.-Y ; CALAWA, A. R

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1989-05, Vol.54 (19), p.1881-1883 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum well
First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum well
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First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum well

West, L. C. ; Eglash, S. J.

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1985-06, Vol.46 (12), p.1156-1158 [Periódico revisado por pares]

United States

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Amphoteric native defects in semiconductors
Amphoteric native defects in semiconductors
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Amphoteric native defects in semiconductors

WALUKIEWICZ, W

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1989-05, Vol.54 (21), p.2094-2096 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Room-temperature continuous wave lasing characteristics of a GaAs vertical cavity surface-emitting laser
Room-temperature continuous wave lasing characteristics of a GaAs vertical cavity surface-emitting laser
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Room-temperature continuous wave lasing characteristics of a GaAs vertical cavity surface-emitting laser

KOYAMA, F ; KINOSHITA, S ; IGA, K

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1989-07, Vol.55 (3), p.221-222 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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5
Extremely wide modulation bandwidth in a low threshold current strained quantum well laser
Extremely wide modulation bandwidth in a low threshold current strained quantum well laser
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Extremely wide modulation bandwidth in a low threshold current strained quantum well laser

SUEMUNE, I ; COLDREN, L. A ; YAMANISHI, M ; KAN, Y

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1988-10, Vol.53 (15), p.1378-1383 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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6
Coherent addition of AlGaAs lasers using microlenses and diffractive coupling
Coherent addition of AlGaAs lasers using microlenses and diffractive coupling
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Coherent addition of AlGaAs lasers using microlenses and diffractive coupling

LEGER, J. R ; SCOTT, M. L ; VELDKAMP, W. B

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1988-05, Vol.52 (21), p.1771-1773 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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7
Subpicosecond gain dynamics in GaAlAs laser diodes
Subpicosecond gain dynamics in GaAlAs laser diodes
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Subpicosecond gain dynamics in GaAlAs laser diodes

KESLER, M. P ; IPPEN, E. P

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1987-11, Vol.51 (22), p.1765-1767 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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8
Lateral mode control of an AlGaAs laser array in a Talbot cavity
Lateral mode control of an AlGaAs laser array in a Talbot cavity
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Lateral mode control of an AlGaAs laser array in a Talbot cavity

Leger, James R.

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1989-07, Vol.55 (4), p.334-336 [Periódico revisado por pares]

United States

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9
Effects of radiation damage in ion-implanted thin films of metal-oxide superconductors
Effects of radiation damage in ion-implanted thin films of metal-oxide superconductors
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Effects of radiation damage in ion-implanted thin films of metal-oxide superconductors

Clark, G. J. ; Marwick, A. D. ; Koch, R. H. ; Laibowitz, R. B.

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1987-07, Vol.51 (2), p.139-141 [Periódico revisado por pares]

United States

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10
Controversy of critical layer thickness for InGaAs/GaAs strained-layer epitaxy
Controversy of critical layer thickness for InGaAs/GaAs strained-layer epitaxy
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Controversy of critical layer thickness for InGaAs/GaAs strained-layer epitaxy

GOURLEY, P. L ; FRITZ, I. J ; DAWSON, L. R

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1988-02, Vol.52 (5), p.377-379 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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  1. Applied Physics Letters  (786)
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