skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 next page
Refinado por: Nome da Publicação: Ieee Transactions On Nuclear Science remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Single-event upset in flash memories
Single-event upset in flash memories
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Single-event upset in flash memories

Schwartz, H.R. ; Nichols, D.K. ; Johnston, A.H.

IEEE transactions on nuclear science, 1997-12, Vol.44 (6), p.2315-2324 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Heavy ion and proton induced single event transients in comparators
Heavy ion and proton induced single event transients in comparators
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Heavy ion and proton induced single event transients in comparators

Nichols, D.K. ; Coss, J.R. ; Miyahira, T.F. ; Schwartz, H.R.

IEEE transactions on nuclear science, 1996-12, Vol.43 (6), p.2960-2967 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
An observation of proton-induced latchup (in CMOS microprocessor)
An observation of proton-induced latchup (in CMOS microprocessor)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

An observation of proton-induced latchup (in CMOS microprocessor)

Nichols, D.K. ; Coss, J.R. ; Watson, R.K. ; Schwartz, H.R. ; Pease, R.L.

IEEE transactions on nuclear science, 1992-12, Vol.39 (6), p.1654-1656 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Latchup in CMOS Devices from Heavy Ions
Latchup in CMOS Devices from Heavy Ions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Latchup in CMOS Devices from Heavy Ions

Soliman, K. ; Nichols, D. K.

IEEE transactions on nuclear science, 1983-12, Vol.30 (6), p.4514-4519 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Update on parts SEE susceptibility from heavy ions
Update on parts SEE susceptibility from heavy ions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Update on parts SEE susceptibility from heavy ions

Nichols, D K ; Smith, L S ; Schwartz, H R ; Soli, G ; Watson, K ; Koga, R ; Crain, W R ; Crawford, K B ; Hansel, S J ; Lau, D D

IEEE Transactions on Nuclear Science (Institute of Electrical and Electronics Engineers); (United States), 1991-12, Vol.38 (6), p.1529-1539 [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
A Summary of JPL Single Event Upset Test Data from May 1982, Through January 1984
A Summary of JPL Single Event Upset Test Data from May 1982, Through January 1984
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Summary of JPL Single Event Upset Test Data from May 1982, Through January 1984

Nichols, Donald K. ; Price, William E. ; Malone, Carl J. ; Smith, Lawrence S.

IEEE transactions on nuclear science, 1984-12, Vol.31 (6), p.1186-1189 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Latest trends in parts SEP susceptibility from heavy ions
Latest trends in parts SEP susceptibility from heavy ions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Latest trends in parts SEP susceptibility from heavy ions

Nichols, D.K. ; Smith, L.S. ; Soli, G.A. ; Koga, R. ; Kolasinski, W.A.

IEEE Transactions on Nuclear Science (Institute of Electrical and Electronics Engineers); (USA), 1989-12, Vol.36 (6), p.2388-2397 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Trends in Parts Susceptibility to Single Event Upset from Heavy Ions
Trends in Parts Susceptibility to Single Event Upset from Heavy Ions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Trends in Parts Susceptibility to Single Event Upset from Heavy Ions

Nichols, Donald K. ; Price, William E. ; Kolasinski, W. A. ; Koga, R. ; Pickel, James C. ; Blandford, James T. ; Waskiewicz, A. E.

IEEE transactions on nuclear science, 1985-12, Vol.32 (6), p.4189-4194 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Single Event Upset (SEU) of Semiconductor Devices - A Summary of JPL Test Data
Single Event Upset (SEU) of Semiconductor Devices - A Summary of JPL Test Data
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Single Event Upset (SEU) of Semiconductor Devices - A Summary of JPL Test Data

Nichols, Donald K. ; Price, William E. ; Malone, Carl J.

IEEE transactions on nuclear science, 1983-12, Vol.30 (6), p.4520-4525 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Temperature and Epi Thickness Dependence of the Heavy Ion Induced Latchup Threshold for a CMOS/EPI 16K Static RAM
Temperature and Epi Thickness Dependence of the Heavy Ion Induced Latchup Threshold for a CMOS/EPI 16K Static RAM
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Temperature and Epi Thickness Dependence of the Heavy Ion Induced Latchup Threshold for a CMOS/EPI 16K Static RAM

Smith, L. S. ; Nichols, D. K. ; Coss, J. R. ; Price, W. E. ; Binder, D.

IEEE transactions on nuclear science, 1987-12, Vol.34 (6), p.1800-1802 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.