skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: idioma: Chinês remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Correlated electron-hole transitions in wurtzite GaN quantum dots：the effects of strain and hydrostatic pressure
Correlated electron-hole transitions in wurtzite GaN quantum dots：the effects of strain and hydrostatic pressure
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Correlated electron-hole transitions in wurtzite GaN quantum dots：the effects of strain and hydrostatic pressure

郑冬梅 王宗篪 肖波齐

Journal of semiconductors, 2012-05, Vol.33 (5), p.6-12 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Study on the effect of copper ion doping in zinc oxide nanomaterials for photocatalytic applications
Study on the effect of copper ion doping in zinc oxide nanomaterials for photocatalytic applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study on the effect of copper ion doping in zinc oxide nanomaterials for photocatalytic applications

Gaurav, Alok ; Beura, Rosalin ; Kumar, J. Santhosh ; Thangadurai, P.

Materials chemistry and physics, 2019-05, Vol.230, p.162-171 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
First-principles of wurtzite ZnO（0001） and （0001）surface structures
First-principles of wurtzite ZnO（0001） and （0001）surface structures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

First-principles of wurtzite ZnO（0001） and （0001）surface structures

张宇飞 郭志友 高小奇 曹东兴 戴云宵 赵洪涛

Journal of semiconductors, 2010 (8), p.1-5 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
First-principles study of the electronic structures and optical properties of C-F-Be doped wurtzite ZnO
First-principles study of the electronic structures and optical properties of C-F-Be doped wurtzite ZnO
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

First-principles study of the electronic structures and optical properties of C-F-Be doped wurtzite ZnO

Zuo Chunying Wen Jing Zhong Cheng

半导体学报, 2012, Vol.33 (7), p.1-6 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Property comparison of polarons in zinc-blende and wurtzite GaN/AIN quantum wells
Property comparison of polarons in zinc-blende and wurtzite GaN/AIN quantum wells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Property comparison of polarons in zinc-blende and wurtzite GaN/AIN quantum wells

朱俊 班士良 哈斯花

半导体学报, 2011, Vol.32 (11), p.9-13 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Bound polaron in a strained wurtzite GaN/Al_xGa_（1-x）N cylindrical quantum dot
Bound polaron in a strained wurtzite GaN/Al_xGa_（1-x）N cylindrical quantum dot
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Bound polaron in a strained wurtzite GaN/Al_xGa_（1-x）N cylindrical quantum dot

张彬 闫祖威 张敏

半导体学报, 2011, Vol.32 (6), p.12-16 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Binding energies of shallow impurities in asymmetric strained wurtzite Alx Ga1-xN/GaN/AIy Ga1-y N quantum wells
Binding energies of shallow impurities in asymmetric strained wurtzite Alx Ga1-xN/GaN/AIy Ga1-y N quantum wells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Binding energies of shallow impurities in asymmetric strained wurtzite Alx Ga1-xN/GaN/AIy Ga1-y N quantum wells

哈斯花 班士良 朱俊

Journal of semiconductors, 2011, Vol.32 (4), p.10-14 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Gas sensing mechanism of ZnO: Na nanocrystals at room temperature using surface photovoltage spectroscopy
Gas sensing mechanism of ZnO: Na nanocrystals at room temperature using surface photovoltage spectroscopy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Gas sensing mechanism of ZnO: Na nanocrystals at room temperature using surface photovoltage spectroscopy

Long, Xiaoqin ; Havan, Aren ; Wang, Zhan ; Liang, Yuqing ; Pingte, Wusha ; Wang, Ziqiang ; Sun, Yifei ; Yu, Fei ; Yuan, Huan

Cai liao gong cheng = Journal of materials engineering, 2024-02, Vol.52 (2), p.218-226 [Periódico revisado por pares]

Beijing: Beijing Institute of Aeronautical Materials

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Pressure influence on bound polarons in a strained wurtzite GaN/Al_xGa_（1_x）N heterojunction under an electric field
Pressure influence on bound polarons in a strained wurtzite GaN/Al_xGa_（1_x）N heterojunction under an electric field
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Pressure influence on bound polarons in a strained wurtzite GaN/Al_xGa_（1_x）N heterojunction under an electric field

张敏 班士良

Journal of semiconductors, 2010 (5), p.5-11 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Influence of optical phonons on the electronic mobility in a strained wurtzite AlN/GaN heterojunction under hydrostatic pressure
Influence of optical phonons on the electronic mobility in a strained wurtzite AlN/GaN heterojunction under hydrostatic pressure
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of optical phonons on the electronic mobility in a strained wurtzite AlN/GaN heterojunction under hydrostatic pressure

周晓娟 班士良

Journal of semiconductors, 2009-08, Vol.30 (8), p.4-9 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (67)

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de2006  (8)
  2. 2006Até2009  (15)
  3. 2010Até2013  (41)
  4. 2014Até2018  (22)
  5. Após 2018  (8)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (49)
  2. Alemão  (3)
  3. Espanhol  (3)
  4. Japonês  (1)
  5. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.