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Quality‐of‐life scores improve after 96weeks of PEG‐IFNa‐2a treatment of hepatitis D: An analysis of the HIDIT‐II trial
Quality‐of‐life scores improve after 96weeks of PEG‐IFNa‐2a treatment of hepatitis D: An analysis of the HIDIT‐II trial
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Quality‐of‐life scores improve after 96weeks of PEG‐IFNa‐2a treatment of hepatitis D: An analysis of the HIDIT‐II trial

Dinkelborg, Katja ; Kahlhöfer, Julia ; Dörge, Petra ; Yurdaydin, Cihan ; Hardtke, Svenja ; Caruntu, Florin Alexandru ; Curescu, Manuela G ; Yalcin, Kendal ; Akarca, Ulus S ; Gürel, Selim ; Zeuzem, Stefan ; Erhardt, Andreas ; Lüth, Stefan ; Papatheodoridis, George V ; Keskin, Onur ; Port, Kerstin ; Radu, Monica ; Celen, Mustafa K ; Idilman, Ramazan ; Weber, Kristina ; Stift, Judith ; Wittkop, Ulrike ; Heidrich, Benjamin ; Mederacke, Ingmar ; Heiko von der Leyen ; Dienes, Hans Peter ; Cornberg, Markus ; Koch, Armin ; Manns, Michael P ; Wedemeyer, Heiner ; Deterding, Katja

Liver international, 2023-08, Vol.43 (8), p.1663-1676 [Periódico revisado por pares]

Hoboken: Wiley Subscription Services, Inc

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Hot carrier energy losses in conducting layers of AlGaN/GaN heterostructures grown on SiC and Al2O3 substrates
Hot carrier energy losses in conducting layers of AlGaN/GaN heterostructures grown on SiC and Al2O3 substrates
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Hot carrier energy losses in conducting layers of AlGaN/GaN heterostructures grown on SiC and Al2O3 substrates

Danilchenko, B. A. ; Zelensky, S. E. ; Drok, E. ; Vitusevich, S. A. ; Danylyuk, S. V. ; Klein, N. ; Lüth, H. ; Belyaev, A. E. ; Kochelap, V. A.

Physica Status Solidi (b), 2006-06, Vol.243 (7), p.1529-1532 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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The growth of Cr-doped GaN by MOVPE towards spintronic applications
The growth of Cr-doped GaN by MOVPE towards spintronic applications
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The growth of Cr-doped GaN by MOVPE towards spintronic applications

Cho, Y. S. ; Kaluza, N. ; Guzenko, V. ; Schäpers, Th ; Hardtdegen, H. ; Bochem, H.-P. ; Breuer, U. ; Ghadimi, M. R. ; Fecioru-Morariu, M. ; Beschoten, B. ; Lüth, H.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2007-01, Vol.204 (1), p.72-77 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Capacitance characterization of AlN/GaN double-barrier resonant tunnelling diodes
Capacitance characterization of AlN/GaN double-barrier resonant tunnelling diodes
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Capacitance characterization of AlN/GaN double-barrier resonant tunnelling diodes

Kurakin, A. M. ; Vitusevich, S. A. ; Danylyuk, S. V. ; Naumov, A. V. ; Foxon, C. T. ; Novikov, S. V. ; Klein, N. ; Lüth, H. ; Belyaev, A. E.

Physica status solidi. C, 2006-06, Vol.3 (6), p.2265-2269 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Influence of doping concentration on DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
Influence of doping concentration on DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
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Influence of doping concentration on DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate

Marso, M. ; Javorka, P. ; Dikme, Y. ; Kalisch, H. ; Bernát, J. ; Schäfer, C. ; Schineller, B. ; v. d. Hart, A. ; Wolter, M. ; Fox, A. ; Jansen, R. H. ; Heuken, M. ; Kordoš, P. ; Lüth, H.

Physica status solidi. A, Applied research, 2003-11, Vol.200 (1), p.179-182 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Hot-electron transport in III-V nitride based two-dimensional gases
Hot-electron transport in III-V nitride based two-dimensional gases
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Hot-electron transport in III-V nitride based two-dimensional gases

Vitusevich, S. A. ; Danylyuk, S. V. ; Danilchenko, B. A. ; Klein, N. ; Zelenskyi, S. E. ; Budnik, A. P. ; Didenko, R. V. ; Avksentyev, A. Yu ; Sokolov, V. N. ; Lüth, H. ; Kochelap, V. A. ; Belyaev, A. E.

Physica status solidi. C, 2003-12 (7), p.2408-2411 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Hot carrier energy losses in conducting layers of AlGaN/GaN heterostructures grown on SiC and Al 2 O 3 substrates
Hot carrier energy losses in conducting layers of AlGaN/GaN heterostructures grown on SiC and Al 2 O 3 substrates
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Hot carrier energy losses in conducting layers of AlGaN/GaN heterostructures grown on SiC and Al 2 O 3 substrates

Danilchenko, B. A. ; Zelensky, S. E. ; Drok, E. ; Vitusevich, S. A. ; Danylyuk, S. V. ; Klein, N. ; Lüth, H. ; Belyaev, A. E. ; Kochelap, V. A.

physica status solidi (b), 2006-06, Vol.243 (7), p.1529-1532 [Periódico revisado por pares]

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