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1
Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials
Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials

Bastos, Carlos Maciél De Oliveira

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos 2019-12-02

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Electronic properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductors
Electronic properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic properties of GaMnAs diluted magnetic semiconductors

Guilherme Matos Sipahi I. C Cunha Lopes; M. A Boselli; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); S. C. P Rodrigues; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP (11. 2003 Fortaleza)

Book of abstracts Fortaleza : Universidade Federal do Ceará, Departamento de Física, 2003

Fortaleza 2003

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD008798 ) e outros locais(Acessar)

3
First-principles exploration of two-dimensional transition metal dichalcogenides based on Fe, Co, Ni, and Cu groups and their van der Waals heterostructures
First-principles exploration of two-dimensional transition metal dichalcogenides based on Fe, Co, Ni, and Cu groups and their van der Waals heterostructures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

First-principles exploration of two-dimensional transition metal dichalcogenides based on Fe, Co, Ni, and Cu groups and their van der Waals heterostructures

Rafael Besse Matheus P Lima; Juarez Lopes Ferreira da Silva

ACS Applied Energy Materials Washington, DC : American Chemical Society - ACS v. 2, n. 12, p. 8491-8501, Dec. 2019

Washington, DC 2019

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD029780 ) e outros locais(Acessar)

4
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory

Carlos M. O. Bastos Fernando P Sabino; Guilherme Matos Sipahi; Juarez Lopes Ferreira da Silva

Journal of Applied Physics College Park : American Institute of Physics - AIP v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, Feb. 2018

College Park 2018

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD027300 ) e outros locais(Acessar)

5
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements

Carlos M. O. Bastos R Besse; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi

Physical Review Materials College Park : American Physical Society - APS v. 3, n. 4, p. 044002-1-044002-10, Apr. 2019

College Park 2019

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD028741 ) e outros locais(Acessar)

6
Effects of air exposition on series and shunt resistances of a solar cell based on PTB7-Th:PC71BM
Effects of air exposition on series and shunt resistances of a solar cell based on PTB7-Th:PC71BM
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effects of air exposition on series and shunt resistances of a solar cell based on PTB7-Th:PC71BM

Francineide Lopes de Araujo Daniel Roger Bezerra Amorim; D. J Coutinho; Roberto Mendonça Faria

Journal of Materials Science: materials in electronics New York : Springer v. 30, n. 18, p. 16806-16811, Sept. 2019

New York 2019

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD029290 )(Acessar)

7
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19
Material Type:
Outros 		Adicionar ao Meu Espaço

Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19

Jeanlex Soares de Souza Felix Guillermo Gonzalez Hernandez; Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da Silva; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi

Fortaleza Universidade Federal do Ceará - UFC 2019

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD029027 ) e outros locais(Acessar)

8
Multi-compounds transparent conducting oxides the example of In2O3-SnO2
Multi-compounds transparent conducting oxides the example of In2O3-SnO2
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Multi-compounds transparent conducting oxides the example of In2O3-SnO2

F. P. Sabino Juarez Lopes Ferreira da Silva; Luiz Nunes de Oliveira; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (4. 2014 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2014

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2014

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD022859 ) e outros locais(Acessar)

9
Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory
Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory

Carlos Maciel O. Bastos Fernando P Sabino; Guilherme Matos Sipahi; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP (18. 2017 Maresias)

Abstract Booklet São Paulo : Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017

São Paulo Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP 2017

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

10
Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT determining effective mass parameters comparable to experiments
Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT determining effective mass parameters comparable to experiments
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT determining effective mass parameters comparable to experiments

Guilherme Matos Sipahi Carlos M. O Bastos; Fernando P Sabino; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP (18. 2017 Maresias)

Abstract Booklet São Paulo : Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017

São Paulo Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP 2017

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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  1. Silva, J
  2. Sipahi, G
  3. Bastos, C
  4. Sabino, F
  5. Besse, R

Neste Assunto:

  1. Dispositivos Eletrônicos
  2. Laser
  3. Materiais Nanoestruturados
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  5. Spin

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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