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Current transport and barrier height evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes
Current transport and barrier height evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes
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Current transport and barrier height evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes

Donoval, D. ; Chvála, A. ; Šramatý, R. ; Kováč, J. ; Carlin, J.-F. ; Grandjean, N. ; Pozzovivo, G. ; Kuzmík, J. ; Pogany, D. ; Strasser, G. ; Kordoš, P.

Applied physics letters, 2010-05, Vol.96 (22) [Periódico revisado por pares]

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2
Optical bistability in InGaN-based multisection laser diodes
Optical bistability in InGaN-based multisection laser diodes
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Optical bistability in InGaN-based multisection laser diodes

Dorsaz, J ; Boïko, D L ; Sulmoni, L ; Carlin, J.-F ; Scheibenzuber, W G ; Schwarz, U T ; Grandjean, N

Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (19), p.191115-191115-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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3
Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors
Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors
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Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors

Ostermaier, C ; Pozzovivo, G ; Basnar, B ; Schrenk, W ; Schmid, M ; Tóth, L ; Pécz, B ; Carlin, J.-F ; Gonschorek, M ; Grandjean, N ; Strasser, G ; Pogany, D ; Kuzmik, J

Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (26), p.263515-263515-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
Narrow UV emission from homogeneous Ga N ∕ Al Ga N quantum wells
Narrow UV emission from homogeneous Ga N ∕ Al Ga N quantum wells
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Narrow UV emission from homogeneous Ga N ∕ Al Ga N quantum wells

Feltin, E ; Simeonov, D ; Carlin, J.-F ; Butté, R ; Grandjean, N

Applied physics letters, 2007-01, Vol.90 (2), p.021905-021905-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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5
GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells
GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells
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GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells

Haller, C. ; Carlin, J.-F. ; Jacopin, G. ; Liu, W. ; Martin, D. ; Butté, R. ; Grandjean, N.

Applied physics letters, 2018-09, Vol.113 (11) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Burying non-radiative defects in InGaN underlayer to increase InGaN/GaN quantum well efficiency
Burying non-radiative defects in InGaN underlayer to increase InGaN/GaN quantum well efficiency
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Burying non-radiative defects in InGaN underlayer to increase InGaN/GaN quantum well efficiency

Haller, C. ; Carlin, J.-F. ; Jacopin, G. ; Martin, D. ; Butté, R. ; Grandjean, N.

Applied physics letters, 2017-12, Vol.111 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
Exciton dynamics at a single dislocation in GaN probed by picosecond time-resolved cathodoluminescence
Exciton dynamics at a single dislocation in GaN probed by picosecond time-resolved cathodoluminescence
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Exciton dynamics at a single dislocation in GaN probed by picosecond time-resolved cathodoluminescence

Liu, W. ; Carlin, J.-F. ; Grandjean, N. ; Deveaud, B. ; Jacopin, G.

Applied physics letters, 2016-07, Vol.109 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
n+ -GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy: Application to regrown contacts
n+ -GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy: Application to regrown contacts
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n+ -GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy: Application to regrown contacts

Lugani, L. ; Malinverni, M. ; Tirelli, S. ; Marti, D. ; Giraud, E. ; Carlin, J.-F. ; Bolognesi, C. R. ; Grandjean, N.

Applied physics letters, 2014-11, Vol.105 (20) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
High quality nitride based microdisks obtained via selective wet etching of AlInN sacrificial layers
High quality nitride based microdisks obtained via selective wet etching of AlInN sacrificial layers
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High quality nitride based microdisks obtained via selective wet etching of AlInN sacrificial layers

Simeonov, D ; Feltin, E ; Altoukhov, A ; Castiglia, A ; Carlin, J.-F ; Butté, R ; Grandjean, N

Applied physics letters, 2008-04, Vol.92 (17), p.171102-171102-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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10
Alloy disorder limited mobility of InGaN two-dimensional electron gas
Alloy disorder limited mobility of InGaN two-dimensional electron gas
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Alloy disorder limited mobility of InGaN two-dimensional electron gas

Sohi, P. ; Carlin, J.-F. ; Grandjean, N.

Applied physics letters, 2018-06, Vol.112 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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