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1
Physical chemistry of the TiN/Hf0.5Zr0.5O2 interface
Physical chemistry of the TiN/Hf0.5Zr0.5O2 interface
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Physical chemistry of the TiN/Hf0.5Zr0.5O2 interface

Hamouda, W. ; Pancotti, A. ; Lubin, C. ; Tortech, L. ; Richter, C. ; Mikolajick, T. ; Schroeder, U. ; Barrett, N.

Journal of applied physics, 2020-02, Vol.127 (6) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Ferroelectrics everywhere: Ferroelectricity in magnesium substituted zinc oxide thin films
Ferroelectrics everywhere: Ferroelectricity in magnesium substituted zinc oxide thin films
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Ferroelectrics everywhere: Ferroelectricity in magnesium substituted zinc oxide thin films

Ferri, Kevin ; Bachu, Saiphaneendra ; Zhu, Wanlin ; Imperatore, Mario ; Hayden, John ; Alem, Nasim ; Giebink, Noel ; Trolier-McKinstry, Susan ; Maria, Jon-Paul

Journal of applied physics, 2021-07, Vol.130 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Air sensitivity of MoS2, MoSe2, MoTe2, HfS2, and HfSe2
Air sensitivity of MoS2, MoSe2, MoTe2, HfS2, and HfSe2
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Air sensitivity of MoS2, MoSe2, MoTe2, HfS2, and HfSe2

Mirabelli, Gioele ; McGeough, Conor ; Schmidt, Michael ; McCarthy, Eoin K. ; Monaghan, Scott ; Povey, Ian M. ; McCarthy, Melissa ; Gity, Farzan ; Nagle, Roger ; Hughes, Greg ; Cafolla, Attilio ; Hurley, Paul K. ; Duffy, Ray

Journal of applied physics, 2016-09, Vol.120 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Structural changes and conductance thresholds in metal-free intrinsic SiOx resistive random access memory
Structural changes and conductance thresholds in metal-free intrinsic SiOx resistive random access memory
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Structural changes and conductance thresholds in metal-free intrinsic SiOx resistive random access memory

Mehonic, Adnan ; Buckwell, Mark ; Montesi, Luca ; Garnett, Leon ; Hudziak, Stephen ; Fearn, Sarah ; Chater, Richard ; McPhail, David ; Kenyon, Anthony J.

Journal of applied physics, 2015-03, Vol.117 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
Experimental evidence of ferroelectricity in calcium doped hafnium oxide thin films
Experimental evidence of ferroelectricity in calcium doped hafnium oxide thin films
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Experimental evidence of ferroelectricity in calcium doped hafnium oxide thin films

Yao, Yifan ; Zhou, Dayu ; Li, Shuaidong ; Wang, Jingjing ; Sun, Nana ; Liu, Feng ; Zhao, Xiuming

Journal of applied physics, 2019-10, Vol.126 (15) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Carrier localization in the vicinity of dislocations in InGaN
Carrier localization in the vicinity of dislocations in InGaN
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Carrier localization in the vicinity of dislocations in InGaN

Massabuau, F. C-P. ; Chen, P. ; Horton, M. K. ; Rhode, S. L. ; Ren, C. X. ; O'Hanlon, T. J. ; Kovács, A. ; Kappers, M. J. ; Humphreys, C. J. ; Dunin-Borkowski, R. E. ; Oliver, R. A.

Journal of applied physics, 2017-01, Vol.121 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
Growth of HfO2/TiO2 nanolaminates by atomic layer deposition and HfO2-TiO2 by atomic partial layer deposition
Growth of HfO2/TiO2 nanolaminates by atomic layer deposition and HfO2-TiO2 by atomic partial layer deposition
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Growth of HfO2/TiO2 nanolaminates by atomic layer deposition and HfO2-TiO2 by atomic partial layer deposition

Hernández-Arriaga, H. ; López-Luna, E. ; Martínez‐Guerra, E. ; Turrubiartes, M. M. ; Rodríguez, A. G. ; Vidal, M. A.

Journal of applied physics, 2017-02, Vol.121 (6) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
Thermal noise in contact atomic force microscopy
Thermal noise in contact atomic force microscopy
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Thermal noise in contact atomic force microscopy

Ma, Chengfu ; Zhou, Chenggang ; Peng, Jinlan ; Chen, Yuhang ; Arnold, Walter ; Chu, Jiaru

Journal of applied physics, 2021-06, Vol.129 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Comprehensive study on initial thermal oxidation of GaN(0001) surface and subsequent oxide growth in dry oxygen ambient
Comprehensive study on initial thermal oxidation of GaN(0001) surface and subsequent oxide growth in dry oxygen ambient
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Comprehensive study on initial thermal oxidation of GaN(0001) surface and subsequent oxide growth in dry oxygen ambient

Yamada, Takahiro ; Ito, Joyo ; Asahara, Ryohei ; Watanabe, Kenta ; Nozaki, Mikito ; Nakazawa, Satoshi ; Anda, Yoshiharu ; Ishida, Masahiro ; Ueda, Tetsuzo ; Yoshigoe, Akitaka ; Hosoi, Takuji ; Shimura, Takayoshi ; Watanabe, Heiji

Journal of applied physics, 2017-01, Vol.121 (3) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
Impact of sapphire nitridation on formation of Al-polar inversion domains in N-polar AlN epitaxial layers
Impact of sapphire nitridation on formation of Al-polar inversion domains in N-polar AlN epitaxial layers
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Impact of sapphire nitridation on formation of Al-polar inversion domains in N-polar AlN epitaxial layers

Stolyarchuk, N. ; Markurt, T. ; Courville, A. ; March, K. ; Tottereau, O. ; Vennéguès, P. ; Albrecht, M.

Journal of applied physics, 2017-10, Vol.122 (15) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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