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GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells
GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells
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GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells

Haller, C. ; Carlin, J.-F. ; Jacopin, G. ; Liu, W. ; Martin, D. ; Butté, R. ; Grandjean, N.

Applied physics letters, 2018-09, Vol.113 (11) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Burying non-radiative defects in InGaN underlayer to increase InGaN/GaN quantum well efficiency
Burying non-radiative defects in InGaN underlayer to increase InGaN/GaN quantum well efficiency
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Burying non-radiative defects in InGaN underlayer to increase InGaN/GaN quantum well efficiency

Haller, C. ; Carlin, J.-F. ; Jacopin, G. ; Martin, D. ; Butté, R. ; Grandjean, N.

Applied physics letters, 2017-12, Vol.111 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Unusual properties of the fundamental band gap of InN
Unusual properties of the fundamental band gap of InN
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Unusual properties of the fundamental band gap of InN

Wu, J. ; Walukiewicz, W. ; Yu, K. M. ; Ager, J. W. ; Haller, E. E. ; Lu, Hai ; Schaff, William J. ; Saito, Yoshiki ; Nanishi, Yasushi

Applied physics letters, 2002-05, Vol.80 (21), p.3967-3969 [Periódico revisado por pares]

United States

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Small band gap bowing in In1−xGaxN alloys
Small band gap bowing in In1−xGaxN alloys
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Small band gap bowing in In1−xGaxN alloys

Wu, J. ; Walukiewicz, W. ; Yu, K. M. ; Ager, J. W. ; Haller, E. E. ; Lu, Hai ; Schaff, William J.

Applied physics letters, 2002-06, Vol.80 (25), p.4741-4743 [Periódico revisado por pares]

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5
Impact of defects on Auger recombination in c-plane InGaN/GaN single quantum well in the efficiency droop regime
Impact of defects on Auger recombination in c-plane InGaN/GaN single quantum well in the efficiency droop regime
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Impact of defects on Auger recombination in c-plane InGaN/GaN single quantum well in the efficiency droop regime

Liu, W. ; Haller, C. ; Chen, Y. ; Weatherley, T. ; Carlin, J.-F. ; Jacopin, G. ; Butté, R. ; Grandjean, N.

Applied physics letters, 2020-06, Vol.116 (22) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Optical properties of single-crystalline ZnO nanowires on m -sapphire
Optical properties of single-crystalline ZnO nanowires on m -sapphire
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Optical properties of single-crystalline ZnO nanowires on m -sapphire

Ng, Hou Tee ; Chen, Bin ; Li, Jun ; Han, Jie ; Meyyappan, M. ; Wu, J. ; Li, S. X. ; Haller, E. E.

Applied physics letters, 2003-03, Vol.82 (13), p.2023-2025 [Periódico revisado por pares]

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7
Effects of electron concentration on the optical absorption edge of InN
Effects of electron concentration on the optical absorption edge of InN
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Effects of electron concentration on the optical absorption edge of InN

Wu, J. ; Walukiewicz, W. ; Li, S. X. ; Armitage, R. ; Ho, J. C. ; Weber, E. R. ; Haller, E. E. ; Lu, Hai ; Schaff, William J. ; Barcz, A. ; Jakiela, R.

Applied physics letters, 2004-04, Vol.84 (15), p.2805-2807 [Periódico revisado por pares]

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8
Multiband GaNAsP quaternary alloys
Multiband GaNAsP quaternary alloys
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Multiband GaNAsP quaternary alloys

Yu, K. M. ; Walukiewicz, W. ; Ager, J. W. ; Bour, D. ; Farshchi, R. ; Dubon, O. D. ; Li, S. X. ; Sharp, I. D. ; Haller, E. E.

Applied physics letters, 2006-02, Vol.88 (9), p.092110-092110-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
Hydrostatic pressure dependence of the fundamental bandgap of InN and In-rich group III nitride alloys
Hydrostatic pressure dependence of the fundamental bandgap of InN and In-rich group III nitride alloys
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Hydrostatic pressure dependence of the fundamental bandgap of InN and In-rich group III nitride alloys

Li, S. X. ; Wu, J. ; Haller, E. E. ; Walukiewicz, W. ; Shan, W. ; Lu, Hai ; Schaff, William J.

Applied physics letters, 2003-12, Vol.83 (24), p.4963-4965 [Periódico revisado por pares]

United States

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10
On the crystalline structure, stoichiometry and band gap of InN thin films
On the crystalline structure, stoichiometry and band gap of InN thin films
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On the crystalline structure, stoichiometry and band gap of InN thin films

Yu, K. M. ; Liliental-Weber, Z. ; Walukiewicz, W. ; Shan, W. ; Ager, J. W. ; Li, S. X. ; Jones, R. E. ; Haller, E. E. ; Lu, Hai ; Schaff, William J.

Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (7), p.071910-071910-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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  2. 1990Até1995  (12)
  3. 1996Até2001  (24)
  4. 2002Até2008  (40)
  5. Após 2008  (19)
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Idioma 

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  2. Japonês  (37)
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