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1
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures

Yuri A. Pusep M T O Silva; J C Galzerani; S C P Rodrigues; L M R Scolfaro; A. P Lima; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto); N T Moshegov; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (22. 1999 São Lourenço)

Resumos São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1999

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2
UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy
UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy

José Rafael León Fernandez M. T. O Silva; Yuri A Pusep; Valmir Antonio Chitta; A Tabata; O C Noriega; J. R Leite (José Roberto); E Abramof; D. J As; D Schikora; K Lischka; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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3
CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy
CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy

Jose Rafael Leon Fernandez M T O Silva; Yuri A Pusep; Valmir Antonio Chitta; Americo Tabata; Odille Cue Noriega; J. R Leite (José Roberto); E Abramof; Donat Joseph As; D Schikora; K Lischka; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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4
Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers
Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers

Marcionilio Teles de Oliveira Silva Jose Rafael Leon Fernandez; Yuri A Pusep; Valmir Antonio Chitta; Americo Tabata; Odille Cue Noriega; J. R Leite (José Roberto); Thomas Frey; Donat Joseph As; Klaus Lischka; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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5
Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal
Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal

Juarez Lopes Ferreira da Silva J. R Leite (José Roberto); L M R Scolfaro; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (21. 1998 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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6
Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN
Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN

A M Santos Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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7
Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates
Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates

M Frizzarini E C F Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (21. 1998 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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8
Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates
Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates

Marcos Frizzarini Alexander Luz Sperandio; Euzi Conceição Fernandes da Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (20. 1997 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1997

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1997

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9
Optically determined carrier transport in InGaAs-GaAs quantum wells
Optically determined carrier transport in InGaAs-GaAs quantum wells
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Optically determined carrier transport in InGaAs-GaAs quantum wells

Adamo Ferreira Gomes do Monte Sebastiao Willian da Silva; Paulo Cesar de Morais; Junio Marcio Rosa Cruz; Maria Aparecida Godoy Soler; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (23. 2000 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2000

São Paulo SBF 2000

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