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100-GHz Gunn diodes fabricated by molecular beam epitaxy
100-GHz Gunn diodes fabricated by molecular beam epitaxy
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100-GHz Gunn diodes fabricated by molecular beam epitaxy

Haydl, W. H. ; Smith, S. ; Bosch, R.

Applied physics letters, 1980-09, Vol.37 (6), p.556-557 [Periódico revisado por pares]

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2
100-period InGaAsP/InGaP superlattice solar cell with sub-bandgap quantum efficiency approaching 80
100-period InGaAsP/InGaP superlattice solar cell with sub-bandgap quantum efficiency approaching 80
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100-period InGaAsP/InGaP superlattice solar cell with sub-bandgap quantum efficiency approaching 80

Sayed, Islam E. H. ; Jain, Nikhil ; Steiner, Myles A. ; Geisz, John F. ; Bedair, S. M.

Applied physics letters, 2017-08, Vol.111 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
12 W peak-power 10 ps duration optical pulse generation by gain switching of a single-transverse-mode GaInN blue laser diode
12 W peak-power 10 ps duration optical pulse generation by gain switching of a single-transverse-mode GaInN blue laser diode
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12 W peak-power 10 ps duration optical pulse generation by gain switching of a single-transverse-mode GaInN blue laser diode

Kono, Shunsuke ; Oki, Tomoyuki ; Miyajima, Takao ; Ikeda, Masao ; Yokoyama, Hiroyuki

Applied physics letters, 2008-10, Vol.93 (13), p.131113-131113-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
1.54   μ m emitters based on erbium doped InGaN p-i-n junctions
1.54   μ m emitters based on erbium doped InGaN p-i-n junctions
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1.54   μ m emitters based on erbium doped InGaN p-i-n junctions

Dahal, R. ; Ugolini, C. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X. ; Zavada, J. M.

Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14), p.141109-141109-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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5
1.54-μm electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy
1.54-μm electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy
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1.54-μm electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy

ENEN, H ; POMRENKE, G ; AXMANN, A ; EISELE, K ; HAYDL, W ; SCHNEIDER, J

Applied physics letters, 1985-01, Vol.46 (4), p.381-383 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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6
1.54-μm Luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon
1.54-μm Luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon
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1.54-μm Luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon

ENNEN, H ; SCHNEIDER, J ; POMRENKE, G ; AXMANN, A

Applied physics letters, 1983-01, Vol.43 (10), p.943-945 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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7
1.55- μ m mode-locked quantum-dot lasers with 300 MHz frequency tuning range
1.55- μ m mode-locked quantum-dot lasers with 300 MHz frequency tuning range
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1.55- μ m mode-locked quantum-dot lasers with 300 MHz frequency tuning range

Sadeev, T. ; Arsenijević, D. ; Franke, D. ; Kreissl, J. ; Künzel, H. ; Bimberg, D.

Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (3) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
1.55 μm emission from GaInNAs with indium-induced increase of N concentration
1.55 μm emission from GaInNAs with indium-induced increase of N concentration
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1.55 μm emission from GaInNAs with indium-induced increase of N concentration

Zhou, W. ; Uesugi, K. ; Suemune, I.

Applied physics letters, 2003-09, Vol.83 (10), p.1992-1994 [Periódico revisado por pares]

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9
16.5 μ m quantum cascade detector using miniband transport
16.5 μ m quantum cascade detector using miniband transport
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16.5 μ m quantum cascade detector using miniband transport

Giorgetta, Fabrizio R. ; Baumann, Esther ; Graf, Marcel ; Ajili, Lassaad ; Hoyler, Nicolas ; Giovannini, Marcella ; Faist, Jérôme ; Hofstetter, Daniel ; Krötz, Peter ; Sonnabend, Guido

Applied physics letters, 2007-06, Vol.90 (23), p.231111-231111-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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10
2-COLOR GAAS/(ALGA)AS QUANTUM-WELL INFRARED DETECTOR WITH VOLTAGE-TUNABLE SPECTRAL SENSITIVITY AT 3-5 AND 8-12 MU-M
2-COLOR GAAS/(ALGA)AS QUANTUM-WELL INFRARED DETECTOR WITH VOLTAGE-TUNABLE SPECTRAL SENSITIVITY AT 3-5 AND 8-12 MU-M
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2-COLOR GAAS/(ALGA)AS QUANTUM-WELL INFRARED DETECTOR WITH VOLTAGE-TUNABLE SPECTRAL SENSITIVITY AT 3-5 AND 8-12 MU-M

KHENG, K ; RAMSTEINER, M ; SCHNEIDER, H ; RALSTON, JD ; FUCHS, F ; KOIDL, P

Applied physics letters, 1992-08, Vol.61 (6), p.666-668 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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