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1
Synthesis of hexagonal boron nitride: From bulk crystals to atomically thin films
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Synthesis of hexagonal boron nitride: From bulk crystals to atomically thin films

Lopes, J. Marcelo J.

Progress in crystal growth and characterization of materials, 2021-05, Vol.67 (2), p.100522, Article 100522 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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2
Nonlinear optical responses of crystalline systems: Results from a velocity gauge analysis
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Nonlinear optical responses of crystalline systems: Results from a velocity gauge analysis

Passos, D. J. ; Ventura, G. B. ; Lopes, J. M. Viana Parente ; Santos, J. M. B. Lopes dos ; Peres, N. M. R.

Physical review. B, 2018-06, Vol.97 (23), Article 235446 [Periódico revisado por pares]

College Park: American Physical Society

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3
Microstructure and mechanical properties of gas metal arc welded CoCrFeMnNi joints using a 410 stainless steel filler metal
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Microstructure and mechanical properties of gas metal arc welded CoCrFeMnNi joints using a 410 stainless steel filler metal

Shen, Jiajia ; Gonçalves, Rita ; Choi, Yeon Taek ; Lopes, J.G. ; Yang, Jin ; Schell, N. ; Kim, Hyoung Seop ; Oliveira, J.P.

Materials science & engineering. A, Structural materials : properties, microstructure and processing, 2022-11, Vol.857, p.144025, Article 144025 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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4
Gauge covariances and nonlinear optical responses
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Gauge covariances and nonlinear optical responses

Ventura, G. B. ; Passos, D. J. ; Lopes dos Santos, J. M. B. ; Viana Parente Lopes, J. M. ; Peres, N. M. R.

Physical review. B, 2017-07, Vol.96 (3), Article 035431 [Periódico revisado por pares]

College Park: American Physical Society

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5
Anisotropic quantum Hall effect in epitaxial graphene on stepped SiC surfaces
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Anisotropic quantum Hall effect in epitaxial graphene on stepped SiC surfaces

Schumann, T. ; Friedland, K.-J. ; Oliveira, M. H. ; Tahraoui, A. ; Lopes, J. M. J. ; Riechert, H.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2012-06, Vol.85 (23), Article 235402 [Periódico revisado por pares]

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6
Nanoscale friction on MoS2/graphene heterostructures
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Nanoscale friction on MoS2/graphene heterostructures

Liu, Zhao ; Szczefanowicz, Bartosz ; Lopes, J Marcelo J ; Gan, Ziyang ; Antony, George ; Turchanin, Andrey ; Bennewitz, Roland

Nanoscale, 2023-03, Vol.15 (12), p.5809-5815 [Periódico revisado por pares]

Cambridge: Royal Society of Chemistry

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7
Formation of high-quality quasi-free-standing bilayer graphene on SiC(0001) by oxygen intercalation upon annealing in air
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Formation of high-quality quasi-free-standing bilayer graphene on SiC(0001) by oxygen intercalation upon annealing in air

Oliveira, Myriano H. ; Schumann, Timo ; Fromm, Felix ; Koch, Roland ; Ostler, Markus ; Ramsteiner, Manfred ; Seyller, Thomas ; Lopes, Joao Marcelo J. ; Riechert, Henning

Carbon (New York), 2013-02, Vol.52, p.83-89 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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8
Global delocalization transition in the de Moura–Lyra model
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Global delocalization transition in the de Moura–Lyra model

Santos Pires, J. P. ; Khan, N. A. ; Viana Parente Lopes, J. M. ; Lopes dos Santos, J. M. B.

Physical review. B, 2019-05, Vol.99 (20), p.205148, Article 205148 [Periódico revisado por pares]

College Park: American Physical Society

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9
The impact of substrate selection for the controlled growth of graphene by molecular beam epitaxy
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The impact of substrate selection for the controlled growth of graphene by molecular beam epitaxy

Schumann, T. ; Lopes, J.M.J. ; Wofford, J.M. ; Oliveira, M.H. ; Dubslaff, M. ; Hanke, M. ; Jahn, U. ; Geelhaar, L. ; Riechert, H.

Journal of crystal growth, 2015-09, Vol.425, p.274-278 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
The effect of the SiC(0001) surface morphology on the growth of epitaxial mono-layer graphene nanoribbons
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The effect of the SiC(0001) surface morphology on the growth of epitaxial mono-layer graphene nanoribbons

Galves, L.A. ; Wofford, J.M. ; Soares, G.V. ; Jahn, U. ; Pfüller, C. ; Riechert, H. ; Lopes, J.M.J.

Carbon (New York), 2017-05, Vol.115, p.162-168 [Periódico revisado por pares]

New York: Elsevier Ltd

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