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1
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.

Santos, Sara Dereste Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-02-05

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2
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores.

Yojo, Leonardo Shimizu

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-03-08

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3
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.

Santos, Carolina Davanzzo Gomes Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-10-22

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4
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.

Yojo, Leonardo Shimizu

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-02-08

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5
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures

Márcio Dalla Valle Martino Cor Claeys; Rita Rooyackers; Eddy Simoen; Paula Ghedini Der Agopian; A Vandooren; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 32, n.5, p. 055015, 2017

2017

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6
Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies
Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies

Rodrigo do Nascimento Toledo João Antonio Martino 1959-; Paula Ghedini Der Agopian

Semiconductor Science and Technology Bristol v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023. Article nº 095013

Bristol 2023

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7
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics

Bruno Godoy Canales Welder Fernandes Perina; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Uthayasankaran Peralagu; Nadine Collaert; Paula Ghedini Der Agopian

Semiconductor Science and Technology Bristol v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023. Article nº 115004

Bristol 2023

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8
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2009-09-11

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9
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-11-30

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10
Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness
Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness

Milene Galeti Michele Rodrigues; Nadine Collaert; Eddy Simoen; Cor Claeys; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 59-65, 2010

New Jersey 2010

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  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Symposium on Microelectronics Technology and Devices
  4. Simoen, E
  5. Yojo, L

Neste Assunto:

  1. Microeletrônica
  2. Semicondutores
  3. Soi
  4. Tecnologia Soi
  5. Soi Technology

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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