Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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Blue luminescence at room temperature in defective MgO filmsMartínez-Boubeta, C. ; Martínez, A. ; Hernández, S. ; Pellegrino, P. ; Antony, A. ; Bertomeu, J. ; Balcells, Ll ; Konstantinović, Z. ; Martínez, B.Solid state communications, 2011-05, Vol.151 (10), p.751-753 [Periódico revisado por pares]Kidlington: Elsevier LtdTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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White luminescence from Si+ and C+ ion-implanted SiO2 filmsPérez-Rodrı́guez, A. ; González-Varona, O. ; Garrido, B. ; Pellegrino, P. ; Morante, J. R. ; Bonafos, C. ; Carrada, M. ; Claverie, A.Journal of applied physics, 2003-07, Vol.94 (1), p.254-262 [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Effect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and ErJambois, O ; Ramírez, J M ; Berencén, Y ; Navarro-Urrios, D ; Anopchenko, A ; Marconi, A ; Prtljaga, N ; Tengattini, A ; Pellegrino, P ; Daldosso, N ; Pavesi, L ; Colonna, J-P ; Fedeli, J-M ; Garrido, BJournal of physics. D, Applied physics, 2012-02, Vol.45 (4), p.045103 [Periódico revisado por pares]IOP PublishingTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Nitrogen deactivation by implantation-induced defects in 4H–SiC epitaxial layersÅberg, D. ; Hallén, A. ; Pellegrino, P. ; Svensson, B. G.Applied physics letters, 2001-05, Vol.78 (19), p.2908-2910 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Annealing kinetics of vacancy-related defects in low-dose MeV self-ion-implanted n-type siliconPellegrino, Paolo ; Leveque, P ; Hallen, A ; Lalita, J ; Jagadish, C. (Chennupati) ; Svensson, Bengt GPhysical review. B, Condensed matter, 2001, Vol.64 (19) [Periódico revisado por pares]The American Physical SocietyTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Low-loss rib waveguides containing Si nanocrystals embedded in SiO2Pellegrino, P. ; Garrido, B. ; Garcia, C. ; Arbiol, J. ; Morante, J. R. ; Melchiorri, M. ; Daldosso, N. ; Pavesi, L. ; Scheid, E. ; Sarrabayrouse, G.Journal of applied physics, 2005-04, Vol.97 (7) [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Structural and optical properties of dilute InAsN grown by molecular beam epitaxyIbáñez, J. ; Oliva, R. ; De la Mare, M. ; Schmidbauer, M. ; Hernández, S. ; Pellegrino, P. ; Scurr, D. J. ; Cuscó, R. ; Artús, L. ; Shafi, M. ; Mari, R. H. ; Henini, M. ; Zhuang, Q. ; Godenir, A. ; Krier, A.Journal of applied physics, 2010-11, Vol.108 (10), p.103504-103504-8 [Periódico revisado por pares]United States: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Er-Coupled Si Nanocluster WaveguideDaldosso, N. ; Navarro-Urrios, D. ; Melchiorri, M. ; Garcia, C. ; Pellegrino, P. ; Garrido, B. ; Sada, C. ; Battaglin, G. ; Gourbilleau, F. ; Rizk, R. ; Pavesi, L.IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2006-11, Vol.12 (6), p.1607-1617 [Periódico revisado por pares]New York: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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White electroluminescence from C- and Si-rich thin silicon oxidesJambois, O. ; Garrido, B. ; Pellegrino, P. ; Carreras, Josep ; Pérez-Rodríguez, A. ; Montserrat, J. ; Bonafos, C. ; BenAssayag, G. ; Schamm, S.Applied physics letters, 2006-12, Vol.89 (25), p.253124-253124-3 [Periódico revisado por pares]United States: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Size dependence of refractive index of Si nanoclusters embedded in SiO2Moreno, J. A. ; Garrido, B. ; Pellegrino, P. ; Garcia, C. ; Arbiol, J. ; Morante, J. R. ; Marie, P. ; Gourbilleau, F. ; Rizk, R.Journal of applied physics, 2005-07, Vol.98 (1) [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |