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Scaling size of the interplay between quantum confinement and surface related effects in nanostructured silicon
Scaling size of the interplay between quantum confinement and surface related effects in nanostructured silicon
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Scaling size of the interplay between quantum confinement and surface related effects in nanostructured silicon

Seguini, G. ; Castro, C. ; Schamm-Chardon, S. ; BenAssayag, G. ; Pellegrino, P. ; Perego, M.

Applied physics letters, 2013-07, Vol.103 (2) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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2
The energy band alignment of Si nanocrystals in SiO2
The energy band alignment of Si nanocrystals in SiO2
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The energy band alignment of Si nanocrystals in SiO2

Seguini, G. ; Schamm-Chardon, S. ; Pellegrino, P. ; Perego, M.

Applied physics letters, 2011-08, Vol.99 (8) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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3
Size dependence of lifetime and absorption cross section of Si nanocrystals embedded in SiO2
Size dependence of lifetime and absorption cross section of Si nanocrystals embedded in SiO2
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Size dependence of lifetime and absorption cross section of Si nanocrystals embedded in SiO2

Garcia, C. ; Garrido, B. ; Pellegrino, P. ; Ferre, R. ; Moreno, J. A. ; Morante, J. R. ; Pavesi, L. ; Cazzanelli, M.

Applied physics letters, 2003-03, Vol.82 (10), p.1595-1597 [Periódico revisado por pares]

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4
Absorption cross section and signal enhancement in Er-doped Si nanocluster rib-loaded waveguides
Absorption cross section and signal enhancement in Er-doped Si nanocluster rib-loaded waveguides
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Absorption cross section and signal enhancement in Er-doped Si nanocluster rib-loaded waveguides

Daldosso, N. ; Navarro-Urrios, D. ; Melchiorri, M. ; Pavesi, L. ; Gourbilleau, F. ; Carrada, M. ; Rizk, R. ; García, C. ; Pellegrino, P. ; Garrido, B. ; Cognolato, L.

Applied physics letters, 2005-06, Vol.86 (26), p.261103-261103-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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5
Site of Er ions in silica layers codoped with Si nanoclusters and Er
Site of Er ions in silica layers codoped with Si nanoclusters and Er
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Site of Er ions in silica layers codoped with Si nanoclusters and Er

Pellegrino, P. ; Garrido, B. ; Arbiol, J. ; Garcia, C. ; Lebour, Y. ; Morante, J. R.

Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (12), p.121915-121915-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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6
Elucidation of the surface passivation role on the photoluminescence emission yield of silicon nanocrystals embedded in SiO2
Elucidation of the surface passivation role on the photoluminescence emission yield of silicon nanocrystals embedded in SiO2
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Elucidation of the surface passivation role on the photoluminescence emission yield of silicon nanocrystals embedded in SiO2

López, M. ; Garrido, B. ; Garcı́a, C. ; Pellegrino, P. ; Pérez-Rodrı́guez, A. ; Morante, J. R. ; Bonafos, C. ; Carrada, M. ; Claverie, A.

Applied physics letters, 2002-03, Vol.80 (9), p.1637-1639 [Periódico revisado por pares]

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7
Distance dependent interaction as the limiting factor for Si nanocluster to Er energy transfer in silica
Distance dependent interaction as the limiting factor for Si nanocluster to Er energy transfer in silica
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Distance dependent interaction as the limiting factor for Si nanocluster to Er energy transfer in silica

Garrido, B. ; García, C. ; Pellegrino, P. ; Navarro-Urrios, D. ; Daldosso, N. ; Pavesi, L. ; Gourbilleau, F. ; Rizk, R.

Applied physics letters, 2006-10, Vol.89 (16) [Periódico revisado por pares]

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8
Nitrogen deactivation by implantation-induced defects in 4H–SiC epitaxial layers
Nitrogen deactivation by implantation-induced defects in 4H–SiC epitaxial layers
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Nitrogen deactivation by implantation-induced defects in 4H–SiC epitaxial layers

Åberg, D. ; Hallén, A. ; Pellegrino, P. ; Svensson, B. G.

Applied physics letters, 2001-05, Vol.78 (19), p.2908-2910 [Periódico revisado por pares]

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9
White electroluminescence from C- and Si-rich thin silicon oxides
White electroluminescence from C- and Si-rich thin silicon oxides
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

White electroluminescence from C- and Si-rich thin silicon oxides

Jambois, O. ; Garrido, B. ; Pellegrino, P. ; Carreras, Josep ; Pérez-Rodríguez, A. ; Montserrat, J. ; Bonafos, C. ; BenAssayag, G. ; Schamm, S.

Applied physics letters, 2006-12, Vol.89 (25), p.253124-253124-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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10
Separation of vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon: Experimental observation
Separation of vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon: Experimental observation
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Separation of vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon: Experimental observation

Pellegrino, P. ; Lévêque, P. ; Wong-Leung, J. ; Jagadish, C. ; Svensson, B. G.

Applied physics letters, 2001-05, Vol.78 (22), p.3442-3444 [Periódico revisado por pares]

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