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Semicondutores
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Material Type: Artigo
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I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wiresRegiane Ragi Murilo Araújo RomeroMicroelectronics Journal Kidlington v. 37, n. 11, p. 1261-1264, Nov. 2006Kidlington 2006Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Enhancement of maximum reach on spectrum-sliced ASE systems employing self-seeded reflective-SOAs transmittersUlysses Rondina Duarte Murilo Araujo RomeroElectronics Letters Stevenage v. 52, n. 2, p. 130-131, Jan. 2016Stevenage 2016Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wiresRegiane Ragi Murilo Araújo RomeroMicroelectronics Journal Kidlington v. 37, n. 11, p. 1261-1264, Nov. 2006Kidlington 2006Acesso online |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistorsJ. E. Manzoli Murilo Araújo Romero; Oscar Hipólito; International Conference on Superlattices, Microructure and Microdevices (11. 1998 Hurgada, Egypt)Superlattices and Microstructures London v. 25, n. 1/2, p. 289-293, 1999London Academic Press 1999Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD006156 ) e outros locais(Acessar) |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Modeling the C-V characteristics of heterodimensional schottky contactsRegiane Aparecida Ragi Pereira José Eduardo Manzoli; Murilo Araújo Romero; B Nabet; ESSDERC 2002 : European Solid-State Device Research Conference (32. 2002 Firenze)Firenze : ST/IEEE Electron Device Society, 2002Firenze ST/IEEE Electron Devices Society 2002Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Modeling the electrical characteristics of schottky contacts in low-dimensional heterostructure devicesRegiane Aparecida Ragi Pereira Murilo Araújo Romero; Bahram NabetIEEE Transactions on Electron Devices New York v. 52, n. 2, p. 170-175, Feb. 2005New York 2005Acesso online |
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Material Type: Artigo
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A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configurationRegiane Ragi Rafael Vinícius Tayette da Nóbrega; Murilo Araujo RomeroCOMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering Bingley v. 31, n. 2, p. 460-476, 2012Bingley 2012Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Improved self-seeding and carrier remodulation performance for WDM-PON by means of double RSOA erasureDaniel Ricardo Celino Ulysses Rondina Duarte; Murilo Araújo RomeroOptics Communications Amsterdam : Elsevier BV, 2020 v. 459, p. 1-10, Mar. 2020Amsterdam 2020Localização: EESC - Esc. Engenharia de São Carlos (PROD-021915 )(Acessar) |
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Material Type: Tese de Doutorado
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Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionaisRegiane Aparecida Ragi Pereira Murilo Araújo Romero2003Localização: IF - Instituto de Física (537.622 P436c D Ex.2 )(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Modeling the electrical characteristics of schottky contacts in low-dimensional heterostructure devicesRegiane Aparecida Ragi Pereira Murilo Araújo Romero; Bahram NabetIEEE Transactions on Electron Devices New York v. 52, n. 2, p. 170-175, Feb. 2005New York 2005Acesso online |
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