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Refinado por: autor: Martino, J remover assunto: Polycrystalline Silicon Gate remover
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Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros

Martino, João Antonio

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 1988-12-21

Acesso online

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Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino.
Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino.

Martino, João Antonio

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 1984-04-17

Acesso online

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Neste Assunto:

  1. Polycrystalline Silicon Gate
  2. Circuitos Integrados
  3. Cavidade Dupla
  4. Nmos Technology
  5. Tecnologia Cmos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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