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Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles
Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles
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Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles

Lazić, P. ; Sipahi, G. M. ; Kawakami, R. K. ; Žutić, Igor

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2014-08, Vol.90 (8), Article 085429 [Periódico revisado por pares]

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Systematic study of magnetic linear dichroism and birefringence in (Ga,Mn)As
Systematic study of magnetic linear dichroism and birefringence in (Ga,Mn)As
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Systematic study of magnetic linear dichroism and birefringence in (Ga,Mn)As

Tesařová, N. ; Ostatnický, T. ; Novák, V. ; Olejník, K. ; Šubrt, J. ; Reichlová, H. ; Ellis, C. T. ; Mukherjee, A. ; Lee, J. ; Sipahi, G. M. ; Sinova, J. ; Hamrle, J. ; Jungwirth, T. ; Němec, P. ; Černe, J. ; Výborný, K.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2014-02, Vol.89 (8), Article 085203 [Periódico revisado por pares]

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Band structure of holes in p-type delta -doping quantum wells and superlattices
Band structure of holes in p-type delta -doping quantum wells and superlattices
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Band structure of holes in p-type delta -doping quantum wells and superlattices

Sipahi, GM ; Enderlein, R ; Scolfaro, LM ; Leite, JR

Physical review. B, Condensed matter, 1996-04, Vol.53 (15), p.9930-9942

United States

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p -type δ -doping quantum wells and superlattices in Si: Self-consistent hole potentials and band structures
p -type δ -doping quantum wells and superlattices in Si: Self-consistent hole potentials and band structures
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p -type δ -doping quantum wells and superlattices in Si: Self-consistent hole potentials and band structures

Rosa, A. L. ; Scolfaro, L. M. R. ; Enderlein, R. ; Sipahi, G. M. ; Leite, J. R.

Physical review. B, Condensed matter, 1998-12, Vol.58 (23), p.15675-15687

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Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p -type δ-doped GaAs layers
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p -type δ-doped GaAs layers
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Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p -type δ-doped GaAs layers

Levine, A. ; da Silva, E. C. F. ; Sipahi, G. M. ; Quivy, A. A. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R. ; Dias, I. F. L. ; Lauretto, E. ; de Oliveira, J. B. B. ; Meneses, E. A. ; Oliveira, A. G.

Physical review. B, Condensed matter, 1999-02, Vol.59 (7), p.4634-4637

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Charge and spin distributions in Ga 1 − x Mn x As ∕ GaAs ferromagnetic multilayers
Charge and spin distributions in Ga 1 − x Mn x As ∕ GaAs ferromagnetic multilayers
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Charge and spin distributions in Ga 1 − x Mn x As ∕ GaAs ferromagnetic multilayers

Rodrigues, S. C. P. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R. ; da Cunha Lima, I. C. ; Sipahi, G. M. ; Boselli, M. A.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2004-10, Vol.70 (16), Article 165308

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Charge and spin distributions in Gai-XMnXAS/GaAs ferromagnetic multilayers
Charge and spin distributions in Gai-XMnXAS/GaAs ferromagnetic multilayers
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Charge and spin distributions in Gai-XMnXAS/GaAs ferromagnetic multilayers

RODRIGUES, S. C. P ; SCOLFARO, L. M. R ; LEITE, J. R ; DA CUNHA LIMA, I. C ; SIPAHI, G. M ; BOSELLI, M. A

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2004, Vol.70 (16), p.165308.1-165308.8

Ridge, NY: American Physical Society

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Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells
Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells
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Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells

de Medeiros, Marcos H. L. ; Teixeira, Raphael L. R. C. ; Sipahi, Guilherme M. ; Dias da Silva, Luis G. G. V.

Physical review. B, 2021-11, Vol.104 (19), Article 195307 [Periódico revisado por pares]

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