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1
Formação e Caracterização de Filmes Finos de Nitreto de Carbono
Formação e Caracterização de Filmes Finos de Nitreto de Carbono
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Formação e Caracterização de Filmes Finos de Nitreto de Carbono

Chubaci, Jose Fernando Diniz

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1996-12-19

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Optoelectronic properties of organic devices with IBAD deposited electric contacts
Optoelectronic properties of organic devices with IBAD deposited electric contacts
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Optoelectronic properties of organic devices with IBAD deposited electric contacts

Danilo Olzon Dionysio Souza Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; José Fernando Diniz Chubaci; Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC (12. 2008 São Carlos)

Caderno de Resumos São Carlos : Instituto de Física de São Carlos - USP, 2008

São Carlos Instituto de Física de São Carlos - USP 2008

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD015507 ) e outros locais(Acessar)

3
Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD)
Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD)

D. Olzon Dionysio Jose Fernando Diniz Chubaci; Roberto Mendonça Faria; Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures - ISAMN (4. 2009 Santo André)

Program Santo André : Universidade Federal do ABC, 2009

Santo André Universidade Federal do ABC - UFABC 2009

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD016133 ) e outros locais(Acessar)

4
Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)
Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)

Danilo Olzon Dionysio Roberto Mendonça Faria; Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; Masao Matsuoka; Jose Fernando Diniz Chubaci; Workshop da Pós-Graduação do IFSC (14. 2010 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2010

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2010

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD017615 ) e outros locais(Acessar)

5
Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices
Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices

Danilo Olzon Dionysio de Souza Roberto Mendonça Faria; Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; José Fernando Diniz Chubaci; Masao Matsuoka; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC (32. 2009 Águas de Lindóia)

Livro de Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2009

São Paulo Sociedade Brasileira de Física - SBF 2009

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode
Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode

D. Olzon Dionysio Jose Fernando Diniz Chubaci; Masao Matsuoka; Roberto Mendonça Faria; Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition (10. 2009 São José dos Campos)

Surface and Coatings Technology Lausanne : Elsevier v. 204, n. 18/19, p. 3096-3099, June 2010

Lausanne Elsevier 2010

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD012628 ) e outros locais(Acessar)

7
OLED with different metal/organic interface configuration
OLED with different metal/organic interface configuration
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

OLED with different metal/organic interface configuration

D. Olzon Dionysio Roberto Mendonça Faria; Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; Jose Fernando Diniz Chubaci; Masao Matsuoka; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC (33. 2010 Águas de Lindóia)

Livro de Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2010

São Paulo Sociedade Brasileira de Física - SBF 2010

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

8
Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)
Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)

D. Olzon Dionysio Jose Fernando Diniz Chubaci; M Matusoka; Roberto Mendonça Faria; Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC (13. 2009 São Carlos)

Caderno de Resumos São Carlos : Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009

São Carlos Instituto de Física de São Carlos - USP 2009

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD016725 )(Acessar)

9
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects

Marcelo Alejandro Toloza Sandoval Jhon Elber Leon Padilla; Adilson Barros Wanderley; Guilherme Matos Sipahi; José Fernando Diniz Chubaci; Antonio Ferreira da Silva

Journal of Applied Physics Melville v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, Mar. 2024

Melville 2024

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD035666 )(Acessar)

10
Pesquisas em ensino de ciências contribuições para a formação de professores
Pesquisas em ensino de ciências contribuições para a formação de professores
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Pesquisas em ensino de ciências contribuições para a formação de professores

Roberto Nardi 1951-; Fernando Bastos Professor; Renato Eugênio da Silva Diniz

São Paulo, SP Escrituras 2004

Localização: CDCC - Cent. Div. Científica e Cultural    (507 P474 5.ed. ) e outros locais(Acessar)

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