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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover
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An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
Material Type:
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An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K

Al-Kabi, Sattar ; Ghetmiri, Seyed Amir ; Margetis, Joe ; Pham, Thach ; Zhou, Yiyin ; Dou, Wei ; Collier, Bria ; Quinde, Randy ; Du, Wei ; Mosleh, Aboozar ; Liu, Jifeng ; Sun, Greg ; Soref, Richard A. ; Tolle, John ; Li, Baohua ; Mortazavi, Mansour ; Naseem, Hameed A. ; Yu, Shui-Qing

Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (17) [Periódico revisado por pares]

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12
Physical reservoir computing based on spin torque oscillator with forced synchronization
Physical reservoir computing based on spin torque oscillator with forced synchronization
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Physical reservoir computing based on spin torque oscillator with forced synchronization

Tsunegi, Sumito ; Taniguchi, Tomohiro ; Nakajima, Kohei ; Miwa, Shinji ; Yakushiji, Kay ; Fukushima, Akio ; Yuasa, Shinji ; Kubota, Hitoshi

Applied physics letters, 2019-04, Vol.114 (16) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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13
Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope
Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope

Dyck, Ondrej ; Kim, Songkil ; Kalinin, Sergei V. ; Jesse, Stephen

Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (11) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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14
Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si
Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si
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Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si

Jung, Daehwan ; Herrick, Robert ; Norman, Justin ; Turnlund, Katherine ; Jan, Catherine ; Feng, Kaiyin ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (15) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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15
Influence of metal choice on (010) β-Ga2O3 Schottky diode properties
Influence of metal choice on (010) β-Ga2O3 Schottky diode properties
Material Type:
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Influence of metal choice on (010) β-Ga2O3 Schottky diode properties

Farzana, Esmat ; Zhang, Zeng ; Paul, Pran K. ; Arehart, Aaron R. ; Ringel, Steven A.

Applied physics letters, 2017-05, Vol.110 (20) [Periódico revisado por pares]

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16
Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency
Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency

Zhang, Yulong ; Luo, Anxin ; Wang, Yifan ; Dai, Xiangtian ; Lu, Yan ; Wang, Fei

Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (5) [Periódico revisado por pares]

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17
Promising ferroelectricity in 2D group IV tellurides: a first-principles study
Promising ferroelectricity in 2D group IV tellurides: a first-principles study
Material Type:
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Promising ferroelectricity in 2D group IV tellurides: a first-principles study

Wan, Wenhui ; Liu, Chang ; Xiao, Wende ; Yao, Yugui

Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (13) [Periódico revisado por pares]

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18
Exploiting the advantages of the centrifugal softening effect in rotational impact energy harvesting
Exploiting the advantages of the centrifugal softening effect in rotational impact energy harvesting
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exploiting the advantages of the centrifugal softening effect in rotational impact energy harvesting

Fang, Shitong ; Wang, Suo ; Zhou, Shengxi ; Yang, Zhichun ; Liao, Wei-Hsin

Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (6) [Periódico revisado por pares]

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19
Guest Editorial: The dawn of gallium oxide microelectronics
Guest Editorial: The dawn of gallium oxide microelectronics
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Guest Editorial: The dawn of gallium oxide microelectronics

Higashiwaki, Masataka ; Jessen, Gregg H.

Applied physics letters, 2018-02, Vol.112 (6) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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20
Single-cycle terahertz pulses with amplitudes exceeding 1 MV/cm generated by optical rectification in LiNbO3
Single-cycle terahertz pulses with amplitudes exceeding 1 MV/cm generated by optical rectification in LiNbO3
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Single-cycle terahertz pulses with amplitudes exceeding 1 MV/cm generated by optical rectification in LiNbO3

Hirori, H. ; Doi, A. ; Blanchard, F. ; Tanaka, K.

Applied physics letters, 2011-02, Vol.98 (9) [Periódico revisado por pares]

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  4. 1997Até2009  (46.392)
  5. Após 2009  (45.821)
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Idioma 

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Deste Autor:

  1. Zhang, Y
  2. Lee, E
  3. Kim, J
  4. Cavalini, C
  5. Rabahi, C

Neste Assunto:

  1. Physics
  2. Science & Technology
  3. Physical Sciences
  4. Physics, Applied
  5. Physics And Astronomy

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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