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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Physical Sciences remover
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1
Liquid metal stretchable unbalanced loop antenna
Liquid metal stretchable unbalanced loop antenna
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Liquid metal stretchable unbalanced loop antenna

Cheng, Shi ; Rydberg, Anders ; Hjort, Klas ; Wu, Zhigang

Applied physics letters, 2009-04, Vol.94 (14), p.144103-144103-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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2
Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers
Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers
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Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers

Guo, Yu ; Zhou, Si ; Bai, Yizhen ; Zhao, Jijun

Applied physics letters, 2017-04, Vol.110 (16) [Periódico revisado por pares]

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3
Hybrid stochastic synapses enabled by scaled ferroelectric field-effect transistors
Hybrid stochastic synapses enabled by scaled ferroelectric field-effect transistors
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Hybrid stochastic synapses enabled by scaled ferroelectric field-effect transistors

Islam, A. N. M. Nafiul ; Saha, Arnob ; Jiang, Zhouhang ; Ni, Kai ; Sengupta, Abhronil

Applied physics letters, 2023-03, Vol.122 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Nanoscale magnetic field mapping with a single spin scanning probe magnetometer
Nanoscale magnetic field mapping with a single spin scanning probe magnetometer
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Nanoscale magnetic field mapping with a single spin scanning probe magnetometer

Rondin, L. ; Tetienne, J.-P. ; Spinicelli, P. ; Dal Savio, C. ; Karrai, K. ; Dantelle, G. ; Thiaville, A. ; Rohart, S. ; Roch, J.-F. ; Jacques, V.

Applied physics letters, 2012-04, Vol.100 (15), p.153118-153118-4 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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5
Two-dimensional van der Waals electrical contact to monolayer MoSi2N4
Two-dimensional van der Waals electrical contact to monolayer MoSi2N4
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Two-dimensional van der Waals electrical contact to monolayer MoSi2N4

Cao, Liemao ; Zhou, Guanghui ; Wang, Qianqian ; Ang, L. K. ; Ang, Yee Sin

Applied physics letters, 2021-01, Vol.118 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Atom insertion into grain boundaries and stress generation in physically vapor deposited films
Atom insertion into grain boundaries and stress generation in physically vapor deposited films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Atom insertion into grain boundaries and stress generation in physically vapor deposited films

Magnfält, D. ; Abadias, G. ; Sarakinos, K.

Applied physics letters, 2013-07, Vol.103 (5) [Periódico revisado por pares]

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7
Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
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Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics

Higashiwaki, Masataka ; Sasaki, Kohei ; Kamimura, Takafumi ; Hoi Wong, Man ; Krishnamurthy, Daivasigamani ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (12) [Periódico revisado por pares]

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8
On-the-fly scans for X-ray ptychography
On-the-fly scans for X-ray ptychography
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On-the-fly scans for X-ray ptychography

Pelz, Philipp M. ; Guizar-Sicairos, Manuel ; Thibault, Pierre ; Johnson, Ian ; Holler, Mirko ; Menzel, Andreas

Applied physics letters, 2014-12, Vol.105 (25) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates

Higashiwaki, Masataka ; Sasaki, Kohei ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2012-01, Vol.100 (1) [Periódico revisado por pares]

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10
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K

Al-Kabi, Sattar ; Ghetmiri, Seyed Amir ; Margetis, Joe ; Pham, Thach ; Zhou, Yiyin ; Dou, Wei ; Collier, Bria ; Quinde, Randy ; Du, Wei ; Mosleh, Aboozar ; Liu, Jifeng ; Sun, Greg ; Soref, Richard A. ; Tolle, John ; Li, Baohua ; Mortazavi, Mansour ; Naseem, Hameed A. ; Yu, Shui-Qing

Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (17) [Periódico revisado por pares]

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  5. Após 2009  (45.592)
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