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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Silicon remover
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1
High performance continuous wave 1.3 μ m quantum dot lasers on silicon
High performance continuous wave 1.3 μ m quantum dot lasers on silicon
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High performance continuous wave 1.3 μ m quantum dot lasers on silicon

Liu, Alan Y. ; Zhang, Chong ; Norman, Justin ; Snyder, Andrew ; Lubyshev, Dmitri ; Fastenau, Joel M. ; Liu, Amy W. K. ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (4), p.41104 [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Perspective on the future of silicon photonics and electronics
Perspective on the future of silicon photonics and electronics
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Perspective on the future of silicon photonics and electronics

Margalit, Near ; Xiang, Chao ; Bowers, Steven M. ; Bjorlin, Alexis ; Blum, Robert ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (22) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Template-assisted selective epitaxy of III–V nanoscale devices for co-planar heterogeneous integration with Si
Template-assisted selective epitaxy of III–V nanoscale devices for co-planar heterogeneous integration with Si
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Template-assisted selective epitaxy of III–V nanoscale devices for co-planar heterogeneous integration with Si

Schmid, H. ; Borg, M. ; Moselund, K. ; Gignac, L. ; Breslin, C. M. ; Bruley, J. ; Cutaia, D. ; Riel, H.

Applied physics letters, 2015-06, Vol.106 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Genetically designed L3 photonic crystal nanocavities with measured quality factor exceeding one million
Genetically designed L3 photonic crystal nanocavities with measured quality factor exceeding one million
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Genetically designed L3 photonic crystal nanocavities with measured quality factor exceeding one million

Lai, Y. ; Pirotta, S. ; Urbinati, G. ; Gerace, D. ; Minkov, M. ; Savona, V. ; Badolato, A. ; Galli, M.

Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (24) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
Perovskite/silicon tandem photovoltaics: Technological disruption without business disruption
Perovskite/silicon tandem photovoltaics: Technological disruption without business disruption
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Perovskite/silicon tandem photovoltaics: Technological disruption without business disruption

Kamaraki, Christina ; Klug, Matthew T. ; Green, Thomas ; Miranda Perez, Laura ; Case, Christopher

Applied physics letters, 2021-08, Vol.119 (7) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Monolithic infrared silicon photonics: The rise of (Si)GeSn semiconductors
Monolithic infrared silicon photonics: The rise of (Si)GeSn semiconductors
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Monolithic infrared silicon photonics: The rise of (Si)GeSn semiconductors

Moutanabbir, O. ; Assali, S. ; Gong, X. ; O'Reilly, E. ; Broderick, C. A. ; Marzban, B. ; Witzens, J. ; Du, W. ; Yu, S-Q. ; Chelnokov, A. ; Buca, D. ; Nam, D.

Applied physics letters, 2021-03, Vol.118 (11) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
Intrinsic piezoelectricity of monolayer group IV–V MX2: SiP2, SiAs2, GeP2, and GeAs2
Intrinsic piezoelectricity of monolayer group IV–V MX2: SiP2, SiAs2, GeP2, and GeAs2
Material Type:
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Intrinsic piezoelectricity of monolayer group IV–V MX2: SiP2, SiAs2, GeP2, and GeAs2

Xu, Yu ; Li, Zhenqing ; He, Chaoyu ; Li, Jin ; Ouyang, Tao ; Zhang, Chunxiao ; Tang, Chao ; Zhong, Jianxin

Applied physics letters, 2020-01, Vol.116 (2) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
All-optical nanoscale thermometry with silicon-vacancy centers in diamond
All-optical nanoscale thermometry with silicon-vacancy centers in diamond
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All-optical nanoscale thermometry with silicon-vacancy centers in diamond

Nguyen, Christian T. ; Evans, Ruffin E. ; Sipahigil, Alp ; Bhaskar, Mihir K. ; Sukachev, Denis D. ; Agafonov, Viatcheslav N. ; Davydov, Valery A. ; Kulikova, Liudmila F. ; Jelezko, Fedor ; Lukin, Mikhail D.

Applied physics letters, 2018-05, Vol.112 (20) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Spectral amplitude modulation and dynamic near-field displaying of all-silicon terahertz metasurfaces supporting bound states in the continuum
Spectral amplitude modulation and dynamic near-field displaying of all-silicon terahertz metasurfaces supporting bound states in the continuum
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Spectral amplitude modulation and dynamic near-field displaying of all-silicon terahertz metasurfaces supporting bound states in the continuum

Li, Jitao ; Li, Jie ; Zheng, Chenglong ; Yue, Zhen ; Yang, Dingyu ; Wang, Silei ; Li, Mengyao ; Zhang, Yating ; Yao, Jianquan

Applied physics letters, 2021-12, Vol.119 (24) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
MOCVD homoepitaxy of Si-doped (010) β-Ga2O3 thin films with superior transport properties
MOCVD homoepitaxy of Si-doped (010) β-Ga2O3 thin films with superior transport properties
Material Type:
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MOCVD homoepitaxy of Si-doped (010) β-Ga2O3 thin films with superior transport properties

Feng, Zixuan ; Anhar Uddin Bhuiyan, A F M ; Karim, Md Rezaul ; Zhao, Hongping

Applied physics letters, 2019-06, Vol.114 (25) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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