Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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Ferroelectric hafnium oxide for ferroelectric random-access memories and ferroelectric field-effect transistorsMikolajick, Thomas ; Slesazeck, Stefan ; Park, Min Hyuk ; Schroeder, UweMRS bulletin, 2018-05, Vol.43 (5), p.340-346 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Ferroelectric and multiferroic tunnel junctionsTsymbal, E.Y. ; Gruverman, A. ; Garcia, V. ; Bibes, M. ; Barthélémy, A.MRS bulletin, 2012-02, Vol.37 (2), p.138-143 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |
3 |
Material Type: Artigo
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Multiferroic magnetoelectric nanostructures for novel device applicationsHu, Jia-Mian ; Nan, Tianxiang ; Sun, Nian X. ; Chen, Long-QingMRS bulletin, 2015-09, Vol.40 (9), p.728-735 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |
4 |
Material Type: Artigo
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Future of dynamic random-access memory as main memoryKim, Seong Keun ; Popovici, MihaelaMRS bulletin, 2018-05, Vol.43 (5), p.334-339 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |
5 |
Material Type: Artigo
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Materials for spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memoryYuasa, Shinji ; Hono, Kazuhiro ; Hu, Guohan ; Worledge, Daniel C.MRS bulletin, 2018-05, Vol.43 (5), p.352-357 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |
6 |
Material Type: Artigo
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Resistive switching phenomena in thin films: Materials, devices, and applicationsStrukov, D.B. ; Kohlstedt, H.MRS bulletin, 2012-02, Vol.37 (2), p.108-114 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |
7 |
Material Type: Artigo
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Organic resistive nonvolatile memory materialsLee, Takhee ; Chen, YongMRS bulletin, 2012-02, Vol.37 (2), p.144-149 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |
8 |
Material Type: Artigo
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Advanced memory—Materials for a new era of information technologyHwang, Cheol Seong ; Dieny, BernardMRS bulletin, 2018-05, Vol.43 (5), p.330-333 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |
9 |
Material Type: Artigo
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Magnetoelectrics and multiferroics: Materials and opportunities for energy-efficient spin-based memory and logicHeron, John T. ; Chiang, TonyMRS bulletin, 2021-10, Vol.46 (10), p.938-945 [Periódico revisado por pares]Cham: Springer International PublishingTexto completo disponível |
10 |
Material Type: Artigo
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Topological memory using phase-change materialsTominaga, JunjiMRS bulletin, 2018-05, Vol.43 (5), p.347-351 [Periódico revisado por pares]New York, USA: Cambridge University PressTexto completo disponível |