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Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation
Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation
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Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation

Uemoto, Y. ; Hikita, M. ; Ueno, H. ; Matsuo, H. ; Ishida, H. ; Yanagihara, M. ; Ueda, T. ; Tanaka, T. ; Ueda, D.

IEEE transactions on electron devices, 2007-12, Vol.54 (12), p.3393-3399 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Compact AC Modeling and Performance Analysis of Through-Silicon Vias in 3-D ICs
Compact AC Modeling and Performance Analysis of Through-Silicon Vias in 3-D ICs
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Compact AC Modeling and Performance Analysis of Through-Silicon Vias in 3-D ICs

Chuan Xu ; Hong Li ; Suaya, R ; Banerjee, K

IEEE transactions on electron devices, 2010-12, Vol.57 (12), p.3405-3417 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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The Paradigm Shift in Understanding the Bias Temperature Instability: From Reaction-Diffusion to Switching Oxide Traps
The Paradigm Shift in Understanding the Bias Temperature Instability: From Reaction-Diffusion to Switching Oxide Traps
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The Paradigm Shift in Understanding the Bias Temperature Instability: From Reaction-Diffusion to Switching Oxide Traps

Grasser, T. ; Kaczer, B. ; Goes, W. ; Reisinger, H. ; Aichinger, T. ; Hehenberger, P. ; Wagner, P. ; Schanovsky, F. ; Franco, J. ; Luque, María Toledano ; Nelhiebel, M.

IEEE transactions on electron devices, 2011-11, Vol.58 (11), p.3652-3666 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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4
Theory of the Junctionless Nanowire FET
Theory of the Junctionless Nanowire FET
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Theory of the Junctionless Nanowire FET

Gnani, E. ; Gnudi, A. ; Reggiani, S. ; Baccarani, G.

IEEE transactions on electron devices, 2011-09, Vol.58 (9), p.2903-2910 [Periódico revisado por pares]

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Strain-Induced Performance Improvements in InAs Nanowire Tunnel FETs
Strain-Induced Performance Improvements in InAs Nanowire Tunnel FETs
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Strain-Induced Performance Improvements in InAs Nanowire Tunnel FETs

Conzatti, F. ; Pala, M. G. ; Esseni, D. ; Bano, E. ; Selmi, L.

IEEE transactions on electron devices, 2012-08, Vol.59 (8), p.2085-2092 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Fabrication of a Fractional Order Capacitor With Desired Specifications: A Study on Process Identification and Characterization
Fabrication of a Fractional Order Capacitor With Desired Specifications: A Study on Process Identification and Characterization
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Fabrication of a Fractional Order Capacitor With Desired Specifications: A Study on Process Identification and Characterization

Sivarama Krishna, Mulinti ; Das, S. ; Biswas, K. ; Goswami, B.

IEEE transactions on electron devices, 2011-11, Vol.58 (11), p.4067-4073 [Periódico revisado por pares]

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Charge-Based Modeling of Junctionless Double-Gate Field-Effect Transistors
Charge-Based Modeling of Junctionless Double-Gate Field-Effect Transistors
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Charge-Based Modeling of Junctionless Double-Gate Field-Effect Transistors

Sallese, Jean-Michel ; Chevillon, N. ; Lallement, C. ; Iniguez, B. ; Pregaldiny, F.

IEEE transactions on electron devices, 2011-08, Vol.58 (8), p.2628-2637 [Periódico revisado por pares]

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8
Performance Limits of Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Transistors
Performance Limits of Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Transistors
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Performance Limits of Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Transistors

Leitao Liu ; Kumar, S. B. ; Yijian Ouyang ; Jing Guo

IEEE transactions on electron devices, 2011-09, Vol.58 (9), p.3042-3047 [Periódico revisado por pares]

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A Current-Transient Methodology for Trap Analysis for GaN High Electron Mobility Transistors
A Current-Transient Methodology for Trap Analysis for GaN High Electron Mobility Transistors
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A Current-Transient Methodology for Trap Analysis for GaN High Electron Mobility Transistors

Jungwoo Joh ; del Alamo, J A

IEEE transactions on electron devices, 2011-01, Vol.58 (1), p.132-140 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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10
Analytical Modeling of Surface-Potential and Intrinsic Charges in AlGaN/GaN HEMT Devices
Analytical Modeling of Surface-Potential and Intrinsic Charges in AlGaN/GaN HEMT Devices
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Analytical Modeling of Surface-Potential and Intrinsic Charges in AlGaN/GaN HEMT Devices

Khandelwal, S. ; Chauhan, Y. S. ; Fjeldly, T. A.

IEEE transactions on electron devices, 2012-10, Vol.59 (10), p.2856-2860 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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