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Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')
Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')
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Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')

Nelson Liebentritt de Almeida Braga 1962- A Buczkowski; H R Kirk; G A Rozgonyi

New York v.64, n.11, p.1410-2, mar. 1994 Applied Physics Letters

New York 1994

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Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')
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Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')

Nelson Liebentritt de Almeida Braga 1962- A Buczkowski; H R Kirk; G A Rozgonyi

New York v.64, n.11, p.1410-2, mar. 1994 Applied Physics Letters

New York 1994

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Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p -type epitaxial Si/Si(Ge)
Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p -type epitaxial Si/Si(Ge)
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Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p -type epitaxial Si/Si(Ge)

Braga, N. ; Buczkowski, A. ; Kirk, H. R. ; Rozgonyi, G. A.

Applied physics letters, 1994-03, Vol.64 (11), p.1410-1412 [Periódico revisado por pares]

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An in situ examination of atomic layer deposited alumina/InAs(100) interfaces
An in situ examination of atomic layer deposited alumina/InAs(100) interfaces
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An in situ examination of atomic layer deposited alumina/InAs(100) interfaces

Kirk, A. P. ; Milojevic, M. ; Kim, J. ; Wallace, R. M.

Applied physics letters, 2010-05, Vol.96 (20), p.202905-202905-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Fermi level unpinning of GaSb (100) using plasma enhanced atomic layer deposition of Al2O3
Fermi level unpinning of GaSb (100) using plasma enhanced atomic layer deposition of Al2O3
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Fermi level unpinning of GaSb (100) using plasma enhanced atomic layer deposition of Al2O3

Ali, A. ; Madan, H. S. ; Kirk, A. P. ; Zhao, D. A. ; Mourey, D. A. ; Hudait, M. K. ; Wallace, R. M. ; Jackson, T. N. ; Bennett, B. R. ; Boos, J. B. ; Datta, S.

Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14), p.143502 [Periódico revisado por pares]

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Near infrared organic light-emitting devices based on donor-acceptor-donor oligomers
Near infrared organic light-emitting devices based on donor-acceptor-donor oligomers
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Near infrared organic light-emitting devices based on donor-acceptor-donor oligomers

Yang, Yixing ; Farley, Richard T. ; Steckler, Timothy T. ; Eom, Sang-Hyun ; Reynolds, John R. ; Schanze, Kirk S. ; Xue, Jiangeng

Applied physics letters, 2008-10, Vol.93 (16) [Periódico revisado por pares]

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7
Epitaxial integration of ferromagnetic correlated oxide LaCoO3 with Si (100)
Epitaxial integration of ferromagnetic correlated oxide LaCoO3 with Si (100)
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Epitaxial integration of ferromagnetic correlated oxide LaCoO3 with Si (100)

Posadas, A. ; Berg, M. ; Seo, H. ; de Lozanne, A. ; Demkov, A. A. ; Smith, D. J. ; Kirk, A. P. ; Zhernokletov, D. ; Wallace, R. M.

Applied physics letters, 2011-01, Vol.98 (5) [Periódico revisado por pares]

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Additive, nanoscale patterning of metal films with a stamp and a surface chemistry mediated transfer process: Applications in plastic electronics
Additive, nanoscale patterning of metal films with a stamp and a surface chemistry mediated transfer process: Applications in plastic electronics
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Additive, nanoscale patterning of metal films with a stamp and a surface chemistry mediated transfer process: Applications in plastic electronics

Loo, Yueh-Lin ; Willett, Robert L. ; Baldwin, Kirk W. ; Rogers, John A.

Applied physics letters, 2002-07, Vol.81 (3), p.562-564 [Periódico revisado por pares]

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9
Near-infrared electroluminescence from conjugated polymer/lanthanide porphyrin blends
Near-infrared electroluminescence from conjugated polymer/lanthanide porphyrin blends
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Near-infrared electroluminescence from conjugated polymer/lanthanide porphyrin blends

Harrison, Benjamin S. ; Foley, Timothy J. ; Bouguettaya, Mohamed ; Boncella, James M. ; Reynolds, John R. ; Schanze, Kirk S. ; Shim, Joonbo ; Holloway, Paul H. ; Padmanaban, G. ; Ramakrishnan, S.

Applied physics letters, 2001-12, Vol.79 (23), p.3770-3772 [Periódico revisado por pares]

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Switching of nanoscale magnetic elements
Switching of nanoscale magnetic elements
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Switching of nanoscale magnetic elements

Kirk, K. J. ; Chapman, J. N. ; McVitie, S. ; Aitchison, P. R. ; Wilkinson, C. D. W.

Applied physics letters, 1999-12, Vol.75 (23), p.3683-3685 [Periódico revisado por pares]

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  1. Physics
  2. Physics, Applied
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