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interview: In CMOS integrated circuits, on‐chip signal sources are indispensable in numerous applications
interview: In CMOS integrated circuits, on‐chip signal sources are indispensable in numerous applications
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

interview: In CMOS integrated circuits, on‐chip signal sources are indispensable in numerous applications

anonymous

Electronics letters, 2020-10, Vol.56 (21), p.1096-1096 [Periódico revisado por pares]

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2
interview
interview
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

interview

Bartlett, Chad

Electronics letters, 2021-02, Vol.57 (4), p.156-157 [Periódico revisado por pares]

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3
interview
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Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

interview

Bartlett, Chad

Electronics letters, 2021-02, Vol.57 (4), p.156-157 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: John Wiley & Sons, Inc

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4
interview
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

interview

Senad Bulja

Electronics letters, 2021-02, Vol.57 (3), p.98-99 [Periódico revisado por pares]

Wiley

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5
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

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Bulja, Senad

Electronics letters, 2021-02, Vol.57 (3), p.98-99 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: John Wiley & Sons, Inc

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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

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Bulja, Senad

Electronics letters, 2021-02, Vol.57 (3), p.98-99 [Periódico revisado por pares]

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7
interview
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

interview

Chad Bartlett

Electronics letters, 2021-02, Vol.57 (4), p.156-157 [Periódico revisado por pares]

Wiley

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8
interview: we can now imagine THz photonics systems using ultrafast photoconductors with superior properties
interview: we can now imagine THz photonics systems using ultrafast photoconductors with superior properties
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

interview: we can now imagine THz photonics systems using ultrafast photoconductors with superior properties

anonymous

Electronics letters, 2020-08, Vol.56 (17), p.854-854 [Periódico revisado por pares]

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9
interview: it is possible to develop Ga 2 O 3 transistors that are well controllable and can already achieve high switching speeds in the same range as SiC MOSFETs
interview: it is possible to develop Ga 2 O 3 transistors that are well controllable and can already achieve high switching speeds in the same range as SiC MOSFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

interview: it is possible to develop Ga 2 O 3 transistors that are well controllable and can already achieve high switching speeds in the same range as SiC MOSFETs

anonymous

Electronics letters, 2020-08, Vol.56 (16), p.798-798 [Periódico revisado por pares]

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10
interview: proper placement is important
interview: proper placement is important
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

interview: proper placement is important

anonymous

Electronics letters, 2020-03, Vol.56 (5), p.216-216 [Periódico revisado por pares]

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