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A Survey of Software Techniques for Using Non-Volatile Memories for Storage and Main Memory Systems
A Survey of Software Techniques for Using Non-Volatile Memories for Storage and Main Memory Systems
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A Survey of Software Techniques for Using Non-Volatile Memories for Storage and Main Memory Systems

Mittal, Sparsh ; Vetter, Jeffrey S.

IEEE transactions on parallel and distributed systems, 2016-05, Vol.27 (5), p.1537-1550 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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2
Metal-Oxide RRAM
Metal-Oxide RRAM
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Metal-Oxide RRAM

Wong, H.-S. Philip ; Lee, Heng-Yuan ; Yu, Shimeng ; Chen, Yu-Sheng ; Wu, Yi ; Chen, Pang-Shiu ; Lee, Byoungil ; Chen, Frederick T. ; Tsai, Ming-Jinn

Proceedings of the IEEE, 2012-06, Vol.100 (6), p.1951-1970 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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3
Challenges and Applications of Emerging Nonvolatile Memory Devices
Challenges and Applications of Emerging Nonvolatile Memory Devices
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Challenges and Applications of Emerging Nonvolatile Memory Devices

Banerjee, Writam

Electronics (Basel), 2020-06, Vol.9 (6), p.1029 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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4
Platform Storage Performance With 3D XPoint Technology
Platform Storage Performance With 3D XPoint Technology
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Platform Storage Performance With 3D XPoint Technology

Hady, Frank T. ; Foong, Annie ; Veal, Bryan ; Williams, Dan

Proceedings of the IEEE, 2017-09, Vol.105 (9), p.1822-1833 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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5
Radiation Effects in Advanced and Emerging Nonvolatile Memories
Radiation Effects in Advanced and Emerging Nonvolatile Memories
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Radiation Effects in Advanced and Emerging Nonvolatile Memories

Marinella, Matthew J.

IEEE transactions on nuclear science, 2021-05, Vol.68 (5), p.546-572 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
NVSim: A Circuit-Level Performance, Energy, and Area Model for Emerging Nonvolatile Memory
NVSim: A Circuit-Level Performance, Energy, and Area Model for Emerging Nonvolatile Memory
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NVSim: A Circuit-Level Performance, Energy, and Area Model for Emerging Nonvolatile Memory

Xiangyu Dong ; Cong Xu ; Yuan Xie ; Jouppi, N. P.

IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, 2012-07, Vol.31 (7), p.994-1007 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
Evolution of Memory Architecture
Evolution of Memory Architecture
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Evolution of Memory Architecture

Nair, Ravi

Proceedings of the IEEE, 2015-08, Vol.103 (8), p.1331-1345 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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8
In-Memory Processing Paradigm for Bitwise Logic Operations in STT-MRAM
In-Memory Processing Paradigm for Bitwise Logic Operations in STT-MRAM
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In-Memory Processing Paradigm for Bitwise Logic Operations in STT-MRAM

Kang, Wang ; Wang, Haotian ; Wang, Zhaohao ; Zhang, Youguang ; Zhao, Weisheng

IEEE transactions on magnetics, 2017-11, Vol.53 (11), p.1-4

New York: IEEE

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9
An Overview of Computing-in-Memory Circuits With DRAM and NVM
An Overview of Computing-in-Memory Circuits With DRAM and NVM
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An Overview of Computing-in-Memory Circuits With DRAM and NVM

Kim, Sangjin ; Yoo, Hoi-Jun

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2024-03, Vol.71 (3), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
In-Memory Computing With Double Word Lines and Three Read Ports for Four Operands
In-Memory Computing With Double Word Lines and Three Read Ports for Four Operands
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In-Memory Computing With Double Word Lines and Three Read Ports for Four Operands

Lin, Zhiting ; Zhan, Honglan ; Li, Xuan ; Peng, Chunyu ; Lu, Wenjuan ; Wu, Xiulong ; Chen, Junning

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2020-05, Vol.28 (5), p.1316-1320 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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