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1
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2009-09-11

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2
Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica.
Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2006-06-23

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3
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2013-06-19

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4
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

An improved current model for edgeless SOI MOSFETs

Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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5
Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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6
The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures
The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-

Morimoto, N.I.; Ribas, R.P.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002

Pennington The Electrochemical Society 2002

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7
Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures
Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-

Cristoloveanu, S. et al Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI. Pennington: Electrochemical Society, 2003

Pennington The Electrochemical Society 2003

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8
Difference between kink and bipolar parasitic effects in thin film SOI MOSFET
Difference between kink and bipolar parasitic effects in thin film SOI MOSFET
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Difference between kink and bipolar parasitic effects in thin film SOI MOSFET

Paulo Tetsuo Hoashi João Antonio Martino 1959-

Morimoto, N.I.; Ribas, R.P.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002

Pennington The Electrochemical Society 2002

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9
The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-

Martino J.A.; Pavanello, M.A.; Morimoto, N.I. eds Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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10
Efeito do substrato em transistores SOI de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos.
Efeito do substrato em transistores SOI de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeito do substrato em transistores SOI de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos.

Itocazu, Vitor Tatsuo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-02-07

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