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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Physics And Astronomy remover Molecular Beam Epitaxy remover
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Deep ultraviolet photoluminescence of Tm-doped AlGaN alloys
Deep ultraviolet photoluminescence of Tm-doped AlGaN alloys
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Deep ultraviolet photoluminescence of Tm-doped AlGaN alloys

Nepal, N. ; Zavada, J. M. ; Lee, D. S. ; Steckl, A. J. ; Sedhain, A. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.

Applied physics letters, 2009-03, Vol.94 (11), p.111103-111103-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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2
Epitaxial EuO thin films on GaAs
Epitaxial EuO thin films on GaAs
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Epitaxial EuO thin films on GaAs

Swartz, A. G. ; Ciraldo, J. ; Wong, J. J. I. ; Li, Yan ; Han, Wei ; Lin, Tao ; Mack, S. ; Shi, J. ; Awschalom, D. D. ; Kawakami, R. K.

Applied physics letters, 2010-09, Vol.97 (11), p.112509-112509-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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GaSb thermophotovoltaic cells grown on GaAs by molecular beam epitaxy using interfacial misfit arrays
GaSb thermophotovoltaic cells grown on GaAs by molecular beam epitaxy using interfacial misfit arrays
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GaSb thermophotovoltaic cells grown on GaAs by molecular beam epitaxy using interfacial misfit arrays

Juang, Bor-Chau ; Laghumavarapu, Ramesh B. ; Foggo, Brandon J. ; Simmonds, Paul J. ; Lin, Andrew ; Liang, Baolai ; Huffaker, Diana L.

Applied physics letters, 2015-03, Vol.106 (11) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Passivation of GaSb using molecular beam epitaxy Y2O3 to achieve low interfacial trap density and high-performance self-aligned inversion-channel p-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
Passivation of GaSb using molecular beam epitaxy Y2O3 to achieve low interfacial trap density and high-performance self-aligned inversion-channel p-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
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Passivation of GaSb using molecular beam epitaxy Y2O3 to achieve low interfacial trap density and high-performance self-aligned inversion-channel p-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors

Chu, R. L. ; Chiang, T. H. ; Hsueh, W. J. ; Chen, K. H. ; Lin, K. Y. ; Brown, G. J. ; Chyi, J. I. ; Kwo, J. ; Hong, M.

Applied physics letters, 2014-11, Vol.105 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
Measurement of electric field across individual wurtzite GaN quantum dots using electron holography
Measurement of electric field across individual wurtzite GaN quantum dots using electron holography
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Measurement of electric field across individual wurtzite GaN quantum dots using electron holography

Zhou, Lin ; Smith, David J. ; McCartney, Martha R. ; Xu, Tao ; Moustakas, Theodore D.

Applied physics letters, 2011-09, Vol.99 (10), p.101905-101905-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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Observation of vertical honeycomb structure in InAlN ∕ GaN heterostructures due to lateral phase separation
Observation of vertical honeycomb structure in InAlN ∕ GaN heterostructures due to lateral phase separation
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Observation of vertical honeycomb structure in InAlN ∕ GaN heterostructures due to lateral phase separation

Zhou, Lin ; Smith, David J. ; McCartney, Martha R. ; Katzer, D. S. ; Storm, D. F.

Applied physics letters, 2007-02, Vol.90 (8), p.081917-081917-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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7
High power mid-infrared interband cascade lasers based on type-II quantum wells
High power mid-infrared interband cascade lasers based on type-II quantum wells
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High power mid-infrared interband cascade lasers based on type-II quantum wells

Yang, Rui Q. ; Yang, B. H. ; Zhang, D. ; Lin, C.-H. ; Murry, S. J. ; Wu, H. ; Pei, S. S.

Applied physics letters, 1997-10, Vol.71 (17), p.2409-2411 [Periódico revisado por pares]

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8
Intersubband absorption in AlN∕GaN∕AlGaN coupled quantum wells
Intersubband absorption in AlN∕GaN∕AlGaN coupled quantum wells
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Intersubband absorption in AlN∕GaN∕AlGaN coupled quantum wells

Driscoll, Kristina ; Bhattacharyya, Anirban ; Moustakas, Theodore D. ; Paiella, Roberto ; Zhou, Lin ; Smith, David J.

Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (14) [Periódico revisado por pares]

United States

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9
Rapid thermal annealing of low-temperature GaAs layers
Rapid thermal annealing of low-temperature GaAs layers
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Rapid thermal annealing of low-temperature GaAs layers

Liliental-Weber, Zuzanna ; Lin, X. W. ; Washburn, J. ; Schaff, W.

Applied physics letters, 1995-04, Vol.66 (16), p.2086-2088 [Periódico revisado por pares]

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10
Morphological transition of InAs islands on GaAs(001) upon deposition of a GaAs capping layer
Morphological transition of InAs islands on GaAs(001) upon deposition of a GaAs capping layer
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Morphological transition of InAs islands on GaAs(001) upon deposition of a GaAs capping layer

Lin, X. W. ; Washburn, J. ; Liliental-Weber, Z. ; Weber, E. R. ; Sasaki, A. ; Wakahara, A. ; Nabetani, Y.

Applied physics letters, 1994-09, Vol.65 (13), p.1677-1679 [Periódico revisado por pares]

United States

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