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Instantaneous companding of quantized signals
Instantaneous companding of quantized signals
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Instantaneous companding of quantized signals

Smith, Bernard

Bell System Technical Journal, 1957-05, Vol.36 (3), p.653-709 [Periódico revisado por pares]

Oxford, UK: American Telephone and Telegraph Company

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2
A Method for the Construction of Minimum-Redundancy Codes
A Method for the Construction of Minimum-Redundancy Codes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Method for the Construction of Minimum-Redundancy Codes

Huffman, David A.

Proceedings of the IRE, 1952-09, Vol.40 (9), p.1098-1101

IEEE

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3
The Cryosar-A New Low-Temperature Computer Component
The Cryosar-A New Low-Temperature Computer Component
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The Cryosar-A New Low-Temperature Computer Component

McWhorter, A. L. ; Rediker, R. H.

Proceedings of the IRE, 1959-07, Vol.47 (7), p.1207-1213

IEEE

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4
Two Contrasting Examples Wherein Radio Reception Was Affected by a Meteorological Condition
Two Contrasting Examples Wherein Radio Reception Was Affected by a Meteorological Condition
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Two Contrasting Examples Wherein Radio Reception Was Affected by a Meteorological Condition

Kincaid, E.H.

Proceedings of the Institute of Radio Engineers, 1927-10, Vol.15 (10), p.843-868

The Institute of Radio Engineers, Inc

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5
The Parametron, a Digital Computing Element Which Utilizes Parametric Oscillation
The Parametron, a Digital Computing Element Which Utilizes Parametric Oscillation
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The Parametron, a Digital Computing Element Which Utilizes Parametric Oscillation

Goto, Eiichi

Proceedings of the IRE, 1959-08, Vol.47 (8), p.1304-1316

IEEE

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6
On the Statistics of Individual Variations of Productivity in Research Laboratories
On the Statistics of Individual Variations of Productivity in Research Laboratories
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On the Statistics of Individual Variations of Productivity in Research Laboratories

Shockley, William

Proceedings of the IRE, 1957-01, Vol.45 (3), p.279-290

IEEE

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7
The Electrical Characteristics of Silicon P-N-P-N Triodes
The Electrical Characteristics of Silicon P-N-P-N Triodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The Electrical Characteristics of Silicon P-N-P-N Triodes

Mackintosh, I. M.

Proceedings of the IRE, 1958-06, Vol.46 (6), p.1229-1235

IEEE

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8
A Current Distribution for Broadside Arrays Which Optimizes the Relationship between Beam Width and Side-Lobe Level
A Current Distribution for Broadside Arrays Which Optimizes the Relationship between Beam Width and Side-Lobe Level
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Current Distribution for Broadside Arrays Which Optimizes the Relationship between Beam Width and Side-Lobe Level

Dolph, C.L.

Proceedings of the IRE, 1946-06, Vol.34 (6), p.335-348

IEEE

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9
Carrier Generation and Recombination in P-N Junctions and P-N Junction Characteristics
Carrier Generation and Recombination in P-N Junctions and P-N Junction Characteristics
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Carrier Generation and Recombination in P-N Junctions and P-N Junction Characteristics

Sah, Chih-tang ; Noyce, Robert N. ; Shockley, William

Proceedings of the IRE, 1957-09, Vol.45 (9), p.1228-1243

IEEE

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10
Analysis of the Backward-Wave Traveling-Wave Tube
Analysis of the Backward-Wave Traveling-Wave Tube
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Analysis of the Backward-Wave Traveling-Wave Tube

Heffner, H.

Proceedings of the IRE, 1954-06, Vol.42 (6), p.930-937

IEEE

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