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Resultados de 1 a 10 de 93  para Produção Intelectual da USP

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1
MBE crystal growth
MBE crystal growth
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

MBE crystal growth

Pierre Basmaji Brazilian School Semicondutores Physics (5. 1991 São Paulo)

Proceedings São Paulo, 1991

São Paulo 1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001238 ) e outros locais(Acessar)

2
Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures

G Zanelatto Yuri A Pusep; J C Galzerani; Pedro Pablo González-Borrero; D Lubyshev; Pierre Basmaji; International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices (10. 1997 Nebraska)

Physics of Low-Dimensional Structures Moscou v.1/2, p. 237-242, 1998

Moscou 1998

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD005194 ) e outros locais(Acessar)

3
Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas
Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas

Pierre Basmaji G M Gusev; N La Scala Junior; Pedro Pablo González-Borrero; D I Lubyshev; M P A da Silva; D K Maude; J C Portal; Yuri A Pusep; J C Rossi; International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices (10. 1997 Lincol)

Physics of Low-Dimensional Structures Moscou v. 1-2, p. 187-192, 1998

Moscou 1998

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD005054 ) e outros locais(Acessar)

4
Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c
Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c

Pierre Basmaji P Gibart; Brazilian School of Semiconductor Physics (4. 1989 Belo Horizonte)

Proceedings Singapore : World Scientific, 1990

Singapore World Scientific 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000976 ) e outros locais(Acessar)

5
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)

Pierre Basmaji Máximo Siu Li; G L Allan; D Lavielle; J C Portal; Brazilian School of Semiconductor Physics (4. 1989 Belo Horizonte)

Proceedings Singapore : World Scientific, 1990

Singapore World Scientific 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000978 ) e outros locais(Acessar)

6
Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures
Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures

Francisco Eduardo Gontijo Guimarães P P González-Borrero; D I Lubyshev; Pierre Basmaji; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (7. 1995 Rio de Janeiro)

Abstracts 1995

Rio de Janeiro 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003564 ) e outros locais(Acessar)

7
Luminescence centers in porous silicon
Luminescence centers in porous silicon
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Luminescence centers in porous silicon

R Pattaro B Matvienko; F Guimaraes; Pierre Basmaji; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (7. 1995 Rio de Janeiro)

Abstracts 1995

Rio de Janeiro 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003820 ) e outros locais(Acessar)

8
Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure
Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure

D Bosquetti Pierre Basmaji; Oscar Hipólito; Euclydes Marega Júnior; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (8. 1997 Águas de Lindóia, SP)

Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 8 Aguas de Lindoia, 1997

Águas de Lindóia 1997

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD004592 ) e outros locais(Acessar)

9
Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure
Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Characterization of metastable dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' under hydrostatic pressure

Pierre Basmaji D Lavielle; J C Portal; P Gibart; Brazilian School of Semiconductor Physics (4. 1989 Belo Horizonte)

Proceedings Singapore : World Scientific, 1990

Singapore World Scientific 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000975-SC ) e outros locais(Acessar)

10
Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy
Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy

Pierre Basmaji

v.70, n.5 , p.2866-7, sep. 1991 Journal of Applied Physics

1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001941 )(Acessar)

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  2. 1991Até1992  (5)
  3. 1993Até1993  (10)
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  5. Após 1995  (44)
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