skip to main content
Idioma:
Refinado por: Nome da Publicação: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Cross-section features influence on surrounding MuGFETs

Márcio Dalla Valle Martino Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 91-98, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

2
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Cross-section features influence on surrounding MuGFETs

Márcio Dalla Valle Martino Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 91-98, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

3
Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs
Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs

Rudolf Theoderich Bühler R Giacomini (*); João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 21-28, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

4
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices

Maria Glória Caño de Andrade João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 67-74, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

5
Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs
Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs

Rudolf Theoderich Bühler R Giacomini (*); João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 21-28, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

6
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices

Maria Glória Caño de Andrade João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 67-74, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

7
Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs
Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs

Luciano Mendes Almeida João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 385-392, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

8
Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs
Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs

Luciano Mendes Almeida João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 385-392, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

9
Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness
Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness

Milene Galeti Michele Rodrigues; Nadine Collaert; Eddy Simoen; Cor Claeys; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 59-65, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

10
DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices
DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices

Sara Dereste dos Santos Talitha Nicoletti; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 51-58, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Simoen, E
  3. Claeys, C
  4. Galeti, M
  5. Rodrigues, M

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Semicondutores
  3. Eletroquímica
  4. Simulação De Sistemas
  5. Dispositivos Eletrônicos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.