skip to main content
Idioma:
Refinado por: Base de dados/Biblioteca: Institute of Physics IOPscience extra remover idioma: Chinês remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Multi-LED package design, fabrication and thermal analysis
Multi-LED package design, fabrication and thermal analysis
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Multi-LED package design, fabrication and thermal analysis

Poelma, R. H. ; Tarashioon, S. ; van Zeijl, H. W. ; Goldbach, S. ; Zijl, J. L. J. ; Zhang, G. Q.

Journal of semiconductors, 2013-05, Vol.34 (5), p.54-58 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Nonlinear characterization of GaN HEMT
Nonlinear characterization of GaN HEMT
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Nonlinear characterization of GaN HEMT

Chen, Chi ; Hao, Yue ; Yang, Ling ; Quan, Si ; Ma, Xiaohua ; Zhang, Jincheng

Journal of semiconductors, 2010-11, Vol.31 (11), p.18-23 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
A 23 GHz low power VCO in SiGe BiCMOS technology
A 23 GHz low power VCO in SiGe BiCMOS technology
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 23 GHz low power VCO in SiGe BiCMOS technology

黄银坤 吴旦昱 周磊 江帆 武锦 金智

Journal of semiconductors, 2013-04, Vol.34 (4), p.76-79 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Robust and low power register file in 65 nm technology
Robust and low power register file in 65 nm technology
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Robust and low power register file in 65 nm technology

Zhang, Xingxing ; Li, Yi ; Xiong, Baoyu ; Han, Jun ; Zhang, Yuejun ; Dong, Fangyuan ; Zhang, Zhang ; Yu, Zhiyi ; Cheng, Xu ; Zeng, Xiaoyang

Journal of semiconductors, 2012-03, Vol.33 (3), p.109-113 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Capacitance-voltage analysis of a high-k dielectric on silicon
Capacitance-voltage analysis of a high-k dielectric on silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Capacitance-voltage analysis of a high-k dielectric on silicon

Rathee, Davinder ; Arya, Sandeep K. ; Kumar, Mukesh

Journal of semiconductors, 2012-02, Vol.33 (2), p.10-13 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
A Verilog-A large signal model for InP DHBT including thermal effects
A Verilog-A large signal model for InP DHBT including thermal effects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Verilog-A large signal model for InP DHBT including thermal effects

施羽暇 金智 潘志建 苏永波 曹玉雄 王燕

Journal of semiconductors, 2013-06, Vol.34 (6), p.72-76 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Effect of tunneling current on the noise characteristics of a 4H-SiC Read Avalanche diode
Effect of tunneling current on the noise characteristics of a 4H-SiC Read Avalanche diode
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of tunneling current on the noise characteristics of a 4H-SiC Read Avalanche diode

Karan, Deepak K. ; Panda, Pranati ; Dash, G. N.

Journal of semiconductors, 2013, Vol.34 (1), p.23-27 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Design for manufacturability of a VDSM standard cell library
Design for manufacturability of a VDSM standard cell library
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Design for manufacturability of a VDSM standard cell library

周宠 陈岚 曾健平 尹明会 赵劼

Journal of semiconductors, 2012-02, Vol.33 (2), p.143-148 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Simultaneous quality improvement of the roughness and refractive index of SiC thin films
Simultaneous quality improvement of the roughness and refractive index of SiC thin films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simultaneous quality improvement of the roughness and refractive index of SiC thin films

Sareminia, Gh ; Simchi, H. ; Ostovari, A. ; Lavasanpour, L.

Journal of semiconductors, 2012-06, Vol.33 (6), p.6-9 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Dose-rate dependence of optically stimulated luminescence signal
Dose-rate dependence of optically stimulated luminescence signal
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dose-rate dependence of optically stimulated luminescence signal

卫平强 陈朝阳 范艳伟

Journal of semiconductors, 2010-10, Vol.31 (10), p.1-4 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Data de Publicação 

De até
Refinar

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.