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A Novel "Pseudo" Direct-Drive Brushless Permanent Magnet Machine
A Novel "Pseudo" Direct-Drive Brushless Permanent Magnet Machine
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A Novel "Pseudo" Direct-Drive Brushless Permanent Magnet Machine

Atallah, K. ; Rens, J. ; Mezani, S. ; Howe, D.

IEEE transactions on magnetics, 2008-11, Vol.44 (11), p.4349-4352

New York, NY: IEEE

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2
Spin Hall Effects in Metals
Spin Hall Effects in Metals
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Spin Hall Effects in Metals

Hoffmann, Axel

IEEE transactions on magnetics, 2013-10, Vol.49 (10), p.5172-5193

New York, NY: IEEE

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3
Quantum Cascade Detectors
Quantum Cascade Detectors
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Quantum Cascade Detectors

Giorgetta, F.R. ; Baumann, E. ; Graf, M. ; Quankui Yang ; Manz, C. ; Kohler, K. ; Beere, H.E. ; Ritchie, D.A. ; Linfield, E. ; Davies, A.G. ; Fedoryshyn, Y. ; Jackel, H. ; Fischer, M. ; Faist, J. ; Hofstetter, D.

IEEE journal of quantum electronics, 2009-08, Vol.45 (8), p.1039-1052 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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4
Resistive Switching by Voltage-Driven Ion Migration in Bipolar RRAM-Part II: Modeling
Resistive Switching by Voltage-Driven Ion Migration in Bipolar RRAM-Part II: Modeling
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Resistive Switching by Voltage-Driven Ion Migration in Bipolar RRAM-Part II: Modeling

Larentis, Stefano ; Nardi, Federico ; Balatti, Simone ; Gilmer, David C. ; Ielmini, Daniele

IEEE transactions on electron devices, 2012-09, Vol.59 (9), p.2468-2475 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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5
Considerations for Ultimate CMOS Scaling
Considerations for Ultimate CMOS Scaling
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Considerations for Ultimate CMOS Scaling

Kuhn, K. J.

IEEE transactions on electron devices, 2012-07, Vol.59 (7), p.1813-1828 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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6
High-Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation
High-Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation
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High-Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation

RUI ZHANG ; HUANG, Po-Chin ; LIN, Ju-Chin ; TAOKA, Noriyuki ; TAKENAKA, Mitsuru ; TAKAGI, Shinichi

IEEE transactions on electron devices, 2013-03, Vol.60 (3), p.927-934 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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7
Doping-Less Tunnel Field Effect Transistor: Design and Investigation
Doping-Less Tunnel Field Effect Transistor: Design and Investigation
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Doping-Less Tunnel Field Effect Transistor: Design and Investigation

Kumar, M. Jagadesh ; Janardhanan, Sindhu

IEEE transactions on electron devices, 2013-10, Vol.60 (10), p.3285-3290 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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8
A Comparative Study of Different Physics-Based NBTI Models
A Comparative Study of Different Physics-Based NBTI Models
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A Comparative Study of Different Physics-Based NBTI Models

Mahapatra, S. ; Goel, N. ; Desai, S. ; Gupta, S. ; Jose, B. ; Mukhopadhyay, S. ; Joshi, K. ; Jain, A. ; Islam, A. E. ; Alam, M. A.

IEEE transactions on electron devices, 2013-03, Vol.60 (3), p.901-916 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation
An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation
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An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation

Shimeng Yu ; Yi Wu ; Jeyasingh, R. ; Kuzum, D. ; Wong, H. P.

IEEE transactions on electron devices, 2011-08, Vol.58 (8), p.2729-2737 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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10
Buffer Design to Minimize Current Collapse in GaN/AlGaN HFETs
Buffer Design to Minimize Current Collapse in GaN/AlGaN HFETs
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Buffer Design to Minimize Current Collapse in GaN/AlGaN HFETs

Uren, M. J. ; Moreke, J. ; Kuball, M.

IEEE transactions on electron devices, 2012-12, Vol.59 (12), p.3327-3333 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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