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Refinado por: autor: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics remover assunto: Superfície Física remover
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Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces
Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces

A. A. Quivy (Alain André) S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); M. J. da Silva; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (11. 2003 Fortaleza)

Book of Abstract Fortaleza : DF/UFC, 2003

Fortaleza DF/UFC 2003

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  1. Silva, E
  2. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics
  3. Lamas, T
  4. Martini, S
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Neste Assunto:

  1. Estrutura Eletrônica

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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