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Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs.
Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs.
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs.

Karin Huscher Cirne J A de Lima; L E Seixas Jr; M A G Silveira; M D L Barbosa; Manfredo Harri Tabacniks; N Added; N H Medina; S P Gimenez; W Melo; International Conference on Ion Beam Analysis (20 2011 Itapema)

Resumo Porto alegre: IBA, 2011

Itapema IBA 2011

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  1. Melo, W
  2. Tabacniks, M
  3. Cirne, K
  4. Silveira, M
  5. Barbosa, M

Neste Assunto:

  1. Semicondutores (Físico-Química)

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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