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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Surfaces And Interfaces; Thin Films And Whiskers remover Physics remover
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1
Kelvin probe force microscopy
Kelvin probe force microscopy
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Kelvin probe force microscopy

NONNEMACHER, M ; O'BOYLE, M. P ; WICKRAMASINGHE, H. K

Applied physics letters, 1991-06, Vol.58 (25), p.2921-2923 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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2
Reactive ion etching of gallium nitride in silicon tetrachloride plasmas
Reactive ion etching of gallium nitride in silicon tetrachloride plasmas
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Reactive ion etching of gallium nitride in silicon tetrachloride plasmas

ADESIDA, I ; MAHAJAN, A ; ANDIDEH, E ; ASIF KHAN, M ; OLSEN, D. T ; KUZNIA, J. N

Applied physics letters, 1993-11, Vol.63 (20), p.2777-2779 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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3
Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface
Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface
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Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface

HIGASHI, G. S ; CHABAL, Y. J ; TRUCKS, G. W ; RAGHAVACHARI, K

Applied physics letters, 1990-02, Vol.56 (7), p.656-658 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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4
Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates
Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates
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Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates

JIANG, X ; KLAGES, C.-P ; ZACHAI, R ; HARTWEG, M ; FÜSSER, H.-J

Applied physics letters, 1993-06, Vol.62 (26), p.3438-3440 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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5
Dislocations and strain relief in compositionally graded layers
Dislocations and strain relief in compositionally graded layers
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Dislocations and strain relief in compositionally graded layers

TERSOFF, J

Applied physics letters, 1993-02, Vol.62 (7), p.693-695 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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6
TEXTURED DIAMOND GROWTH ON (100) BETA-SIC VIA MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
TEXTURED DIAMOND GROWTH ON (100) BETA-SIC VIA MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
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TEXTURED DIAMOND GROWTH ON (100) BETA-SIC VIA MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

STONER, BR ; GLASS, JT

Applied physics letters, 1992-02, Vol.60 (6), p.698-700 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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7
Imaging alkane layers at the liquid/graphite interface with the scanning tunneling microscope
Imaging alkane layers at the liquid/graphite interface with the scanning tunneling microscope
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Imaging alkane layers at the liquid/graphite interface with the scanning tunneling microscope

MCGONIGAL, G. C ; BERNHARDT, R. H ; THOMSON, D. J

Applied physics letters, 1990-07, Vol.57 (1), p.28-30 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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8
Selective area oxidation of silicon with a scanning force microscope
Selective area oxidation of silicon with a scanning force microscope
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Selective area oxidation of silicon with a scanning force microscope

DAY, H. C ; ALLE, D. R

Applied physics letters, 1993-05, Vol.62 (21), p.2691-2693 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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9
EPITAXIAL-GROWTH OF TIN FILMS ON (100) SILICON SUBSTRATES BY LASER PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH OF TIN FILMS ON (100) SILICON SUBSTRATES BY LASER PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION
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EPITAXIAL-GROWTH OF TIN FILMS ON (100) SILICON SUBSTRATES BY LASER PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION

NARAYAN, J ; TIWARI, P ; CHEN ; SINGH, J ; CHOWDHURY, R ; ZHELEVA, T

Applied physics letters, 1992-09, Vol.61 (11), p.1290-1292 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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10
GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM
GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM
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GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM

EBERL, K ; IYER, SS ; ZOLLNER, S ; TSANG, JC ; LEGOUES, FK

Applied physics letters, 1992-06, Vol.60 (24), p.3033-3035 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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