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Ge, Qi ; Qi, H. Jerry ; Dunn, Martin L.

Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (13), p.131901 [Periódico revisado por pares]

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Substrate-induced strain and charge doping in CVD-grown monolayer MoS2
Substrate-induced strain and charge doping in CVD-grown monolayer MoS2
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Substrate-induced strain and charge doping in CVD-grown monolayer MoS2

Chae, Woo Hyun ; Cain, Jeffrey D. ; Hanson, Eve D. ; Murthy, Akshay A. ; Dravid, Vinayak P.

Applied physics letters, 2017-10, Vol.111 (14) [Periódico revisado por pares]

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Exciton diffusion in WSe2 monolayers embedded in a van der Waals heterostructure
Exciton diffusion in WSe2 monolayers embedded in a van der Waals heterostructure
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Exciton diffusion in WSe2 monolayers embedded in a van der Waals heterostructure

Cadiz, F. ; Robert, C. ; Courtade, E. ; Manca, M. ; Martinelli, L. ; Taniguchi, T. ; Watanabe, K. ; Amand, T. ; Rowe, A. C. H. ; Paget, D. ; Urbaszek, B. ; Marie, X.

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (15) [Periódico revisado por pares]

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Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
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Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics

Higashiwaki, Masataka ; Sasaki, Kohei ; Kamimura, Takafumi ; Hoi Wong, Man ; Krishnamurthy, Daivasigamani ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (12) [Periódico revisado por pares]

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15
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
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Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates

Higashiwaki, Masataka ; Sasaki, Kohei ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2012-01, Vol.100 (1) [Periódico revisado por pares]

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16
Ferroelectricity in hafnium oxide thin films
Ferroelectricity in hafnium oxide thin films
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Ferroelectricity in hafnium oxide thin films

Böscke, T. S. ; Müller, J. ; Bräuhaus, D. ; Schröder, U. ; Böttger, U.

Applied physics letters, 2011-09, Vol.99 (10), p.102903-102903-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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17
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
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An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K

Al-Kabi, Sattar ; Ghetmiri, Seyed Amir ; Margetis, Joe ; Pham, Thach ; Zhou, Yiyin ; Dou, Wei ; Collier, Bria ; Quinde, Randy ; Du, Wei ; Mosleh, Aboozar ; Liu, Jifeng ; Sun, Greg ; Soref, Richard A. ; Tolle, John ; Li, Baohua ; Mortazavi, Mansour ; Naseem, Hameed A. ; Yu, Shui-Qing

Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (17) [Periódico revisado por pares]

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18
Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf0.5Zr0.5O2 films according to the thickness and annealing temperature
Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf0.5Zr0.5O2 films according to the thickness and annealing temperature
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Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf0.5Zr0.5O2 films according to the thickness and annealing temperature

Hyuk Park, Min ; Joon Kim, Han ; Jin Kim, Yu ; Lee, Woongkyu ; Moon, Taehwan ; Seong Hwang, Cheol

Applied physics letters, 2013-06, Vol.102 (24) [Periódico revisado por pares]

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19
Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate
Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate
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Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

Usami, Shigeyoshi ; Ando, Yuto ; Tanaka, Atsushi ; Nagamatsu, Kentaro ; Deki, Manato ; Kushimoto, Maki ; Nitta, Shugo ; Honda, Yoshio ; Amano, Hiroshi ; Sugawara, Yoshihiro ; Yao, Yong-Zhao ; Ishikawa, Yukari

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (18) [Periódico revisado por pares]

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20
Ultra-broadband microwave metamaterial absorber
Ultra-broadband microwave metamaterial absorber
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Ultra-broadband microwave metamaterial absorber

Ding, Fei ; Cui, Yanxia ; Ge, Xiaochen ; Jin, Yi ; He, Sailing

Applied physics letters, 2012-03, Vol.100 (10), p.103506-103506-4 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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  2. 1973Até1984  (6.829)
  3. 1985Até1996  (19.389)
  4. 1997Até2009  (45.948)
  5. Após 2009  (45.522)
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  1. Japonês  (44.057)
  2. Norueguês  (20)
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