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Refinado por: Nome da Publicação: Journal Of Non-Crystalline Solids remover
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Amorphous silicon X-ray detectors
Amorphous silicon X-ray detectors
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Amorphous silicon X-ray detectors

Hoheisel, M ; Arques, M ; Chabbal, J ; Chaussat, C ; Ducourant, T ; Hahm, G ; Horbaschek, H ; Schulz, R ; Spahn, M

Journal of non-crystalline solids, 1998-01, Vol.227, p.1300-1305 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
Temperature dependence of the photocurrent in pin and nip solar cell structures made from a-Si:H
Temperature dependence of the photocurrent in pin and nip solar cell structures made from a-Si:H
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Temperature dependence of the photocurrent in pin and nip solar cell structures made from a-Si:H

Hoheisel, Martin ; Reichle, Elke ; Harms, Hauke ; Kotschy, Josef

Journal of non-crystalline solids, 1991, Vol.137, p.1181-1184 [Periódico revisado por pares]

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3
The interfaces a-Si:H/Pd and a-Si:H/ITO: Structure and electronic properties
The interfaces a-Si:H/Pd and a-Si:H/ITO: Structure and electronic properties
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The interfaces a-Si:H/Pd and a-Si:H/ITO: Structure and electronic properties

Hoheisel, M. ; Brutscher, N. ; Oppolzer, H. ; Schild, S.

Journal of non-crystalline solids, 1987-12, Vol.97, p.959-962 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
Physical aspects of a-Si:H image sensors
Physical aspects of a-Si:H image sensors
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Physical aspects of a-Si:H image sensors

Hoheisel, M. ; Brunst, G. ; Wieczorek, H.

Journal of non-crystalline solids, 1987-02, Vol.90 (1), p.243-246 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
Characterization of junctions between transparent electrodes and a-Si:H
Characterization of junctions between transparent electrodes and a-Si:H
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Characterization of junctions between transparent electrodes and a-Si:H

Hoheisel, M. ; Wieczorek, H. ; Kempter, K.

Journal of non-crystalline solids, 1985-12, Vol.77, p.1413-1416 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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