skip to main content
Idioma:
Refinado por: autor: Teles, L remover tipo de recurso: Produções Técnicas remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures the case of 'NV POT. -' center in diamond
A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures the case of 'NV POT. -' center in diamond
Material Type:
Relatório Técnico 		Adicionar ao Meu Espaço

A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures the case of 'NV POT. -' center in diamond

Bruno Lucatto Ronaldo Rodrigues Pela; Marcelo Marques; Lara K Teles; L. V. C Assali (Lucy Vitória Credidio)

São Paulo 2017

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Teles, L
  2. Assali, L
  3. Marques, M
  4. Pela, R
  5. Lucatto, B

Neste Assunto:

  1. Spintrônica
  2. Semicondutores

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.