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Dual dielectric silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors as radiation sensors
Dual dielectric silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors as radiation sensors
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Dual dielectric silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors as radiation sensors

HUGHES, R. C ; DAWES, W. R ; MEYER, W. J ; YOON, S. W

Journal of applied physics, 1989-03, Vol.65 (5), p.1972-1976 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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12
Studies of the hydrogen passivation of silicon grain boundaries
Studies of the hydrogen passivation of silicon grain boundaries
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Studies of the hydrogen passivation of silicon grain boundaries

Seager, C H ; Ginley, D S

Journal of applied physics, 1981-02, Vol.52 (2), p.1050-1055 [Periódico revisado por pares]

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The determination of grain-boundary recombination rates by scanned spot excitation methods
The determination of grain-boundary recombination rates by scanned spot excitation methods
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The determination of grain-boundary recombination rates by scanned spot excitation methods

Seager, C. H.

Journal of applied physics, 1982-08, Vol.53 (8), p.5968-5971 [Periódico revisado por pares]

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Rapid thermal annealing and regrowth of thermal donors in silicon
Rapid thermal annealing and regrowth of thermal donors in silicon
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Rapid thermal annealing and regrowth of thermal donors in silicon

STEIN, H. J ; HAHN, S. K ; SHATAS, S. C

Journal of applied physics, 1986-05, Vol.59 (10), p.3495-3502 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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15
Photoluminescence in high-resistivity CdTe : In
Photoluminescence in high-resistivity CdTe : In
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Photoluminescence in high-resistivity CdTe : In

Barnes, C. E. ; Zanio, K.

Journal of applied physics, 1975-09, Vol.46 (9), p.3959-3964 [Periódico revisado por pares]

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16
Proton damage effects on light emitting diodes
Proton damage effects on light emitting diodes
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Proton damage effects on light emitting diodes

Rose, B. H. ; Barnes, C. E.

Journal of applied physics, 1982-01, Vol.53 (3), p.1772-1780 [Periódico revisado por pares]

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17
Low-energy proton detection by Pd metal-insulator-semiconductor diodes
Low-energy proton detection by Pd metal-insulator-semiconductor diodes
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Low-energy proton detection by Pd metal-insulator-semiconductor diodes

HUGHES, R. C ; BASTASZ, R

Journal of applied physics, 1988-12, Vol.64 (12), p.6839-6844 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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18
Rise-time measurements of shock transitions in aluminum, copper, and steel
Rise-time measurements of shock transitions in aluminum, copper, and steel
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Rise-time measurements of shock transitions in aluminum, copper, and steel

Chhabildas, Lalit C. ; Asay, James R.

Journal of applied physics, 1979-04, Vol.50 (4), p.2749-2756 [Periódico revisado por pares]

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19
Theory of response of radiation sensing field effect transistors
Theory of response of radiation sensing field effect transistors
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Theory of response of radiation sensing field effect transistors

HUGHES, R. C

Journal of applied physics, 1985-08, Vol.58 (3), p.1375-1379 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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Laser triggering of a 500-kV gas-filled switch: A parametric study
Laser triggering of a 500-kV gas-filled switch: A parametric study
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Laser triggering of a 500-kV gas-filled switch: A parametric study

Woodworth, J. R. ; Hargis, P. J. ; Pitchford, L. C. ; Hamil, R. A.

Journal of applied physics, 1984-09, Vol.56 (5), p.1382-1386 [Periódico revisado por pares]

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