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Refinado por: Nome da Publicação: Ieee Electron Device Letters remover
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4H-SiC normally-off vertical junction field-effect transistor with high current density
4H-SiC normally-off vertical junction field-effect transistor with high current density
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4H-SiC normally-off vertical junction field-effect transistor with high current density

Tone, K. ; Zhao, J.H. ; Fursin, L. ; Alexandrov, P. ; Weiner, M.

IEEE electron device letters, 2003-07, Vol.24 (7), p.463-465 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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2
1710-V 2.77-m/Omega/cm(2) 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
1710-V 2.77-m/Omega/cm(2) 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
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1710-V 2.77-m/Omega/cm(2) 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors

Zhao, J H ; Tone, K ; Alexandrov, P ; Fursin, L ; Weiner, M

IEEE electron device letters, 2003-02, Vol.24 (2), p.81-83 [Periódico revisado por pares]

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3
1710-V 2.77-m/spl Omega/cmsub 2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
1710-V 2.77-m/spl Omega/cmsub 2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
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1710-V 2.77-m/spl Omega/cmsub 2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors

Zhao, J.H. ; Tone, K. ; Alexandrov, P. ; Fursin, L. ; Weiner, M.

IEEE electron device letters, 2003-02, Vol.24 (2), p.81-83 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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4
1710-V 2.77-m[Omega]cm2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
1710-V 2.77-m[Omega]cm2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
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1710-V 2.77-m[Omega]cm2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors

Zhao, J.H ; Tone, K ; Alexandrov, P ; Fursin, L ; Weiner, M

IEEE electron device letters, 2003-02, Vol.24 (2), p.81 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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5
1710-V 2.77-m/spl Omega/cm sub 2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
1710-V 2.77-m/spl Omega/cm sub 2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1710-V 2.77-m/spl Omega/cm sub 2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors

Zhao, J.H. ; Tone, K. ; Alexandrov, P. ; Fursin, L. ; Weiner, M.

IEEE electron device letters, 2003-02, Vol.24 (2), p.81-83 [Periódico revisado por pares]

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Citações Citado por
6
1710-V 2.77-mohm-cm2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
1710-V 2.77-mohm-cm2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1710-V 2.77-mohm-cm2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors

Zhao, Jian H ; Tone, K ; Alexandrov, P ; Fursin, L ; Weiner, M

IEEE electron device letters, 2003-02, Vol.24 (2), p.81-83 [Periódico revisado por pares]

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7
1710-V 2.77-m Omega cm super(2) 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
1710-V 2.77-m Omega cm super(2) 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1710-V 2.77-m Omega cm super(2) 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors

Zhao, J H ; Tone, K ; Alexandrov, P ; Fursin, L ; Weiner, M

IEEE electron device letters, 2003-01, Vol.24 (2) [Periódico revisado por pares]

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