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1
Front-end electronics for PHENIX time expansion chamber
Front-end electronics for PHENIX time expansion chamber
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Front-end electronics for PHENIX time expansion chamber

K Barish W C Chang; Olácio Dietzsch; T Ferdousi; A Franz; J Fried; S Y Fung; J Gannon; J Harder; A Kandasamy; M A Kelley; D Kotchetkov; A Lebedev; X H Li; J Mahon; S Mioduszewiski; M Muniruzzaman; B Nandi; E O'Brien; P O'Connor; R Pisani; S Rankowitz; M Rosati; R Seto; E. M Takagui (Emi Marcia); W Von Achen; H Q Wang; W Xie

IEEE Transactions on Nuclear Science New York v. 49, n. 3, p. 1141-1146, 2002

New York 2002

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2
Front-end electronics for PHENIX time expansion chamber
Front-end electronics for PHENIX time expansion chamber
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Front-end electronics for PHENIX time expansion chamber

K Barish W C Chang; Olácio Dietzsch; T Ferdousi; A Franz; J Fried; S Y Fung; J Gannon; J Harder; A Kandasamy; M A Kelley; D Kotchetkov; A Lebedev; X H Li; J Mahon; S Mioduszewiski; M Muniruzzaman; B Nandi; E O'Brien; P O'Connor; R Pisani; S Rankowitz; M Rosati; R Seto; E. M Takagui (Emi Marcia); W Von Achen; H Q Wang; W Xie

IEEE Transactions on Nuclear Science New York v. 49, n. 3, p. 1141-1146, 2002

New York 2002

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3
An SEU-Tolerant DICE Latch Design With Feedback Transistors
An SEU-Tolerant DICE Latch Design With Feedback Transistors
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An SEU-Tolerant DICE Latch Design With Feedback Transistors

Wang, H.-B ; Li, Y.-Q ; Chen, L. ; Li, L.-X ; Liu, R. ; Baeg, S. ; Mahatme, N. ; Bhuva, B. L. ; Wen, S.-J ; Wong, R. ; Fung, R.

IEEE transactions on nuclear science, 2015-04, Vol.62 (2), p.548-554 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Defect and Impurity-Center Activation and Passivation in Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Defect and Impurity-Center Activation and Passivation in Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
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Defect and Impurity-Center Activation and Passivation in Irradiated AlGaN/GaN HEMTs

Li, X. ; Wang, P. F. ; Zhao, X. ; Qiu, H. ; Gorchichko, M. ; McCurdy, M. W. ; Schrimpf, R. D. ; Zhang, E. X. ; Fleetwood, D. M.

IEEE transactions on nuclear science, 2024-01, Vol.71 (1), p.80-87 [Periódico revisado por pares]

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Design of a Novel CMOS Front-End ASIC With Post Digital Shaping for CZT-Based PET Detector
Design of a Novel CMOS Front-End ASIC With Post Digital Shaping for CZT-Based PET Detector
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Design of a Novel CMOS Front-End ASIC With Post Digital Shaping for CZT-Based PET Detector

Gao, W. ; Li, X. ; Li, S. ; Yin, J. ; Li, C. ; Gao, D. ; Hu, Y.

IEEE transactions on nuclear science, 2016-06, Vol.63 (3), p.1586-1593 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Displacement Damage in Bipolar Junction Transistors: Beyond Messenger-Spratt
Displacement Damage in Bipolar Junction Transistors: Beyond Messenger-Spratt
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Displacement Damage in Bipolar Junction Transistors: Beyond Messenger-Spratt

Barnaby, H. J. ; Schrimpf, R. D. ; Galloway, K. F. ; Li, X. ; Yang, J. ; Liu, C.

IEEE transactions on nuclear science, 2017-01, Vol.64 (1), p.149-155 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
Design and Characterization of a Low-Noise Front-End Readout ASIC in 0.18- \mu m CMOS Technology for CZT/Si-PIN Detectors
Design and Characterization of a Low-Noise Front-End Readout ASIC in 0.18- \mu m CMOS Technology for CZT/Si-PIN Detectors
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Design and Characterization of a Low-Noise Front-End Readout ASIC in 0.18- \mu m CMOS Technology for CZT/Si-PIN Detectors

Gao, W. ; Li, S. ; Duan, Y. ; Huang, P. ; Li, Z. ; Yao, Y. ; Li, X. ; Hu, Y.

IEEE transactions on nuclear science, 2018-05, Vol.65 (5), p.1203-1211 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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8
Electronics of Time-of-Flight Measurement for Back-n at CSNS
Electronics of Time-of-Flight Measurement for Back-n at CSNS
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Electronics of Time-of-Flight Measurement for Back-n at CSNS

Yu, T. ; Cao, P. ; Ji, X. Y. ; Xie, L. K. ; Huang, X. R. ; An, Q. ; Bai, H. Y. ; Bao, J. ; Chen, Y. H. ; Cheng, P. J. ; Cui, Z. Q. ; Fan, R. R. ; Feng, C. Q. ; Gu, M. H. ; Han, Z. J. ; He, G. Z. ; He, Y. C. ; He, Y. F. ; Huang, H. X. ; Huang, W. L. ; Ji, X. L. ; Jiang, H. Y. ; Jiang, W. ; Jing, H. T. ; Kang, L. ; Li, B. ; Li, L. ; Li, Q. ; Li, X. ; Li, Y. ; Liu, R. ; Liu, S. B. ; Liu, X. Y. ; Luan, G. Y. ; Ma, Y. L. ; Ning, C. J. ; Ren, J. ; Ruan, X. C. ; Song, Z. H. ; Sun, H. ; Sun, X. Y. ; Sun, Z. J. ; Tan, Z. X. ; Tang, J. Y. ; Tang, H. Q. ; Wang, P. C. ; Wang, Q. ; Wang, T. F. ; Wang, Y. F. ; Wang, Z. H. ; Wang, Z. ; Wen, J. ; Wen, Z. W. ; Wu, Q. B. ; Wu, X. G. ; Wu, X. ; Yang, Y. W. ; Yi, H. ; Yu, L. ; Yu, Y. J. ; Zhang, G. H. ; Zhang, L. Y. ; Zhang, J. ; Zhang, Q. M. ; Zhang, Q. W. ; Zhang, X. P. ; Zhao, Y. T. ; Zhong, Q. P. ; Zhou, L. ; Zhou, Z. Y. ; Zhu, K. J.

IEEE transactions on nuclear science, 2019-07, Vol.66 (7), p.1095-1099 [Periódico revisado por pares]

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9
Efficiency calibration of a large-area neutron detector by using Am/Be neutron source
Efficiency calibration of a large-area neutron detector by using Am/Be neutron source
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Efficiency calibration of a large-area neutron detector by using Am/Be neutron source

Hu, Q.Y. ; Ye, Y.L. ; Li, Z.H. ; Li, X.Q. ; Jiang, D.X. ; Zheng, T. ; Wang, Q.J. ; Hua, H. ; Wu, C.E. ; Chen, Z.Q. ; Ying, J. ; Pang, D.Y. ; Zhang, G.L. ; Wang, J.

IEEE transactions on nuclear science, 2005-02, Vol.52 (1), p.473-477 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
Design and Characterization of a Low-Noise Front-End Readout ASIC in 0.18-[Formula Omitted]m CMOS Technology for CZT/Si-PIN Detectors
Design and Characterization of a Low-Noise Front-End Readout ASIC in 0.18-[Formula Omitted]m CMOS Technology for CZT/Si-PIN Detectors
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Design and Characterization of a Low-Noise Front-End Readout ASIC in 0.18-[Formula Omitted]m CMOS Technology for CZT/Si-PIN Detectors

Gao, W ; S Li ; Duan, Y ; Huang, P ; Z Li ; Yao, Y ; X Li ; Y Hu

IEEE transactions on nuclear science, 2018-01, Vol.65 (5), p.1203 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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